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BZX55C4V3-35_R2_10001

产品描述Zener Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小92KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准  

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BZX55C4V3-35_R2_10001概述

Zener Diode

BZX55C4V3-35_R2_10001规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗75 Ω
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
膝阻抗最大值600 Ω
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压4.3 V
最大反向电流1 µA
反向测试电压1 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
最大电压容差5%
工作测试电流5 mA

BZX55C4V3-35_R2_10001文档预览

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BZX55C2V4~BZX55C75
AXIAL LEAD ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 to 75 Volts
POWER
500 mWatts
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives
MECHANICAL DATA
• Case: Molded glass DO-35
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 0.13 grams
• Ordering information: Suffix :” -35” to order DO-35 Package
• Packing information
B
- 2K per Bulk box
T/R - 10K per 15" plastic Reel
T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
=25°C unless otherwise noted)
Parameter
Power Dissipation at Tamb = 25
Junction Temperature
Storage Temperature Range
O
Symbol
Value
500
175
-65 to +175
Units
mW
O
C
P
TOT
T
J
T
STG
C
C
O
Valid provided that leads at a distance of 8mm from case are kept at ambient temperature.
Parameter
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Forward Voltage at I
F
= 100mA
Symbol
Min.
--
--
Typ.
Max.
0.3
1
o
Units
C/mW
V
R
JA
V
F
--
--
Valid provided that leads at a distance of 10 mm from case are kept at ambient temperature.
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