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EP1026H

产品描述Variable Capacitance Diode, Ultra High Frequency, 12pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小62KB,共1页
制造商API Technologies
官网地址http://www.apitech.com/about-api
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EP1026H概述

Variable Capacitance Diode, Ultra High Frequency, 12pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt,

EP1026H规格参数

参数名称属性值
厂商名称API Technologies
包装说明O-CUPM-N1
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW INDUCTANCE
最小击穿电压30 V
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管电容容差9.54%
最小二极管电容比2.8
标称二极管电容12 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码O-CUPM-N1
元件数量1
端子数量1
最高工作温度175 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
最大功率耗散5 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数900
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流0.02 µA
反向测试电压25 V
表面贴装NO
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
变容二极管分类ABRUPT
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