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SL33B

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 30V V(RRM), Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小205KB,共3页
制造商苏州固锝(Good-Ark)
标准
苏州固锝是国内半导体分立器件二极管行业完善、齐全的设计、制造、封装、销售的厂商,从前端芯片的自主开发到后端成品的各种封装技术,形成了一个完整的产业链。主要产品包括最新封装技术的无引脚集成电路产品和分立器件产品、汽车整流二极管、功率模块、整流二极管芯片、硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、军用熔断丝、光伏旁路模块等共有50多个系列,1500多个品种。产品广泛应用在航空航天、汽车、绿色照明、IT、家用电器以及大型设备的电源装置等许多领域。设计、研发太阳能电池用银浆以及各种电子浆料,研发并规模化生产物联网领域各种新型传感器。
下载文档 详细参数 全文预览

SL33B概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 30V V(RRM), Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN

SL33B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称苏州固锝(Good-Ark)
包装说明SMB, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.42 V
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流80 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向电流200 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

SL33B文档预览

 
SL32B thru SL310B
 
Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
 
FEATURES
 
Ideal for automated placement
Low forward voltage drop
Low leakage current
Meets environmental standard MIL-S-19500D
Moisture sensitivity:level 1, per J-STD-020
DO‐214AA(SMB)
Solder dip 275 °C, 10 s
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC
TYPICAL APPLICATIONS
For use in general purpose rectification of lighting, power supplies, inverters, converters and
freewheeling diodes for consumer, automotive and telecommunication.
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
max.
3A
20 V to 100 V
80A
0.42V,0.5V,0.75V
125 °C
,150
°C
MECHANICAL DATA
Case:
DO-214AA, molded epoxy body,Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating
Terminals:
Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22B-106
Polarity:
Laser Band Denotes Cathode Band
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak
reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking
voltage
Maximum average forward
rectified current at
TL(See Fig.1)
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
SL32B
20
14
20
SL33B
30
21
30
SL34B
40
28
40
SL35B
50
35
50
SL36B
60
42
60
3
SL37B
70
49
70
SL38B
80
56
80
SL39B
90
63
90
SL310B
100
70
100
UNIT
V
V
V
A
Peak forward surge current
8.3 ms single half
sine-wave superimposed
on rated load
Operating junction
temperature range
Storage temperature range
I
FSM
T
J
T
STG
- 55 to + 125
80
- 55 to + 150
- 55 to + 150
A
°C
°C
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rev.1
 
 
 
SL32B thru SL310B
 
SL35B
SL36B
SL37B
SL38B
SL39B
SL310
B
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum
instantaneous
forward voltage
Maximum DC
reverse current at
rated DC blocking
voltage
Typical junction
capacitance
TEST
CONDITIONS
IF=3 A
TA=25℃
I
R
TA=100℃
4.0 V, 1 MHz
C
J
20
220
TBD
pF
SYMBOL
SL32B
SL33B
SL34B
UNI
T
V
V
F
0.42
0.2
0.5
0.15
0.75
mA
THERMAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum thermal
resistance
SYMBOL
R
θJA
(1)
R
θJT
(2)
SL32B
SL33B
SL34B
SL35B
SL36B
72
22
SL37B
SL38B
SL39B
SL310B
UNIT
°C/W
Notes
:
(1) Thermal resistance from junction to ambient,0.276×0.276
(7.0×7.0mm)copper
pads to each terminal
(2) Thermal resistance from junction to terminal, 0.276×0.276
(7.0×7.0mm)copper
pads to each terminal
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
Figure 1. Forward Current Derating Curve
Figure 2.Maximum Non‐repetitive Peak Forward Surge 
Current 
 
Figure 4. Typical Reverse Characteristics
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics 
Figure 4. Typical Reverse Characteristics 
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rev.1
 
 
 
SL32B thru SL310B
 
Figure 5. Typical Junction Capacitance 
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
in inches (millimeters)
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rev.1
 
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