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UF3A_09

产品描述3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小104KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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UF3A_09概述

3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB

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UF3A~UF3J
SURFACE MOUNT ULTRAFAST RECTIFIER
VOLTAGE
50 to 600 Volts
CURRENT
3.0 Amperes
FEATURES
For surface mounted applications
Low profile package
Built-in strain relief
Easy pick and place
Ultrafast recovery times for high efficiency
P l as t i c p acka g e h as Un d e r w r i t e r s L ab o r a t o r y F l am m ab i l i t y
Classification 94V-O
• Glass passivated junction
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-214AB molded plastic
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity: Indicated by cathode band
Standard packaging: 16mm tape (EIA-481)
Weight: 0.0082 ounce, 0.2325 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt a t T
L
= 7 5
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne - w a ve
s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 3 . 0 A
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt a t T
J
= 2 5
O
C
R a t e d D C B l o c k i ng V o l t a g e T
J
= 1 2 5
O
C
Ty p i c a l J u n c t i o n c a p a c i t a n c e ( N o t e 2 )
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e ( N o t e 3 )
M a x i m u m R e v e r s e R e c o v e r y Ti m e ( N o t e 1 )
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L
V
RRM
V
RMS
V
D C
I
F ( A V )
I
F S M
V
F
I
R
C
J
R
θ
J L
t
rr
T
J
, T
S T G
UF 3 A
50
35
50
UF 3 B
100
70
100
UF 3 D
200
140
200
3 .0
100
UF 3 G
400
280
400
UF 3 J
600
420
600
U N IT S
V
V
V
A
A
1 .0
1 .0
300
75
15
50
-5 5 to +1 5 0
1 .4
1 .7
V
µ
A
63
O
pF
C / W
ns
O
100
C
NOTES:1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
rr
=0.25A
2. Measured at 1 MHz and applied V
r
= 4.0 volts.
3. 8.0 mm
2
( .013mm thick ) land areas.
STAD-MAR.05.2009
PAGE . 1
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