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UF306G

产品描述3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小38KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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UF306G概述

3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

UF306G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-201AD
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

UF306G文档预览

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UF300G ~ UF306G
GLASS PASSIVATED JUNCTION ULTRAFAST SWITCHING RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
1.0(25.4)MIN.
50 to 600 Volts
CURRENT
3.0 Amperes
DO-201AD
Unit: inch(mm)
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228.
• Ultra Fast switching for high efficiency.
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
.052(1.3)
.048(1.2)
.375(9.5)
MECHANICALDATA
• Case: Molded plastic, DO-201AD
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: Band denotes cathode
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0395 ounce, 1.122 gram
.285(7.2)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt . 3 7 5 " ( 9 . 5 m m )
l e a d l e ng t h a t T
A
= 5 5
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne - w a ve
s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 3 . 0 A
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt T
J
= 2 5
O
C
a t R a t e d D C B l o c k i ng V o l t a g e T
J
= 1 2 5
O
C
Ty p i c a l J u n c t i o n c a p a c i t a n c e ( N o t e 1 )
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e ( N o t e 2 )
M a x i m u m R e v e r s e R e c o v e r y Ti m e ( N o t e 3 )
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L U F 3 0 0 G
V
RRM
V
RMS
V
D C
I
F ( A V )
I
F S M
V
F
I
R
C
J
R
θ
J A
t
rr
T
J
, T
S T G
50
35
50
UF 3 0 1 G
100
70
100
1.0(25.4)MIN.
.210(5.3)
.188(4.8)
UF 3 0 2 G
200
140
200
3 .0
150
U F 3 0 4 G U F 3 0 6 G U N IT S
400
280
400
600
420
600
V
V
V
A
A
1 .3
1 .7
V
µ
A
50
O
1 .0
1 .0
300
75
30
50
-5 5 to +1 5 0
pF
C /
W
ns
O
100
C
NOTES:
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.
2. Thermal Resistance from Junction to Ambient and from Junction to lead length 0.375”(9.5mm) P.C.B. mounted.
3. Reverse Recovery Time I
F
=.5A ,I
R
=1A , I
rr
=.25A
STAD-MAR.05.2009
PAGE . 1
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