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SB550

产品描述肖特基二极管
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小78KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SB550概述

肖特基二极管

5 A, 50 V, 硅, 整流二极管, DO-201AD

功能特点

产品名称:肖特基二极管


产品型号:SB550


参数:


重复反向电压峰值Vrrm:50V


最大平均整流电流Io:5A


最大前向浪涌电流I FSM:150A


正向压降VF:0.7V 当IF=5A时


最大反馈电流IR:200uA 当VR=50V


封装:DO-201AD


SB550规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-201AD
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.7 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散5 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

SB550文档预览

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SB520 SERIES
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• For use in low voltage, high frequency inverters, free wheeling,
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.375(9.5)
0.285(7.2)
1.0(25.4)MIN.
20 to 60 Volts
CURRENT
5 Amperes
• Plastic package has Underwriters Laboratory
0.052(1.3)
0.048(1.2)
and polarity protection applications.
MECHANICAL DATA
• Case: DO-201AD Molded plastic
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: Color band denotes cathode
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.039 ounces, 1.122 grams
1.0(25.4)MIN.
0.210(5.3)
0.188(4.8)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
PA RA ME TE R
Ma xi m um Re c urr e nt P e a k Re ve rs e Vo lta g e
Ma xi m um RM S Vo lta g e
Ma xi m um D C B lo c k i ng Vo lta g e
Ma xi m um A ve ra g e F o rwa rd Re c ti fi e d C urre nt (S e e F i g 1 )
P e a k F o r wa rd S urg e C urr e nt : 8 .3 m s s i ng le ha lf s i ne -
wa ve s up e ri m p o s e d o n r a te d lo a d ( J E D E C m e tho d )
Ma xi m um F o rw a rd Vo lta g e a t 5 .0 A (NOTE S 3 )
Ma xi m um D C Re ve r s e C ur re nt a t Ra te d D C
B lo c k i ng Vo lta g e
Typ i c a l The rm a l Re s i s ta nc e ( NOTE S 2 )
(NOTE S 1 )
(NOTE S 1 )
P o we r D i s s i p a ti o n
Op e r a ti ng J unc ti o n Te mp e r a tur e R a ng e
S to r a g e Te mp e r a ture Ra ng e
T
J
= 2 5
O
C
T
J
= 1 0 0
O
C
S YM B OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
R
θ
JA
R
θJ
C
R
θ
JL
P
D
T
J
T
S TG
SB520
20
14
20
SB530
30
21
30
SB540
40
28
40
5
150
SB550
50
35
50
SB560
60
42
60
UNITS
V
V
V
A
A
0 .5 5
0 .2
50
50
12
15
5
- 5 5 to + 1 2 5
0 .7 0
0 .1
50
O
V
mA
C / W
W
-5 5 to + 1 5 0
O
C
C
-5 5 to + 1 5 0
O
NOTES:
1. Measured at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case
2. Minimum Pad Area
3. Pulse test : 300μs pulse width, 1% duty cycle
August 17,2010-REV.03
PAGE . 1
what the mean of 'XBYTE'
#define CW XBYTE //00 //写指令 #define CR XBYTE //10 //读状态 #define DW XBYTE //01 //写数据 #define DR XBYTE //11 ......
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