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SB4020PT_10

产品描述20 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小46KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SB4020PT_10概述

20 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD

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SB4020PT SERIES
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
20 to 60 Volts
CURRENT
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forward voltage, high current capability
• High surge capacity.
• For use in low voltage,high frequency inverters
free wheeling , and polarlity protection applications.
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.087(2.20)
0.070(1.80)
0.126(3.20)
0.110(2.80)
0.050(1.25)
0.045(1.15)
0.142(3.60)
0.125(3.20)
0.640(16.25)
0.620(15.75)
0.199(5.05)
0.175(4.45)
40 Amperes
0.600(15.25)
0.580(14.75)
0.839(21.30)
0.819(20.80)
0.095(2.40)
0.170(4.30)
0.145(3.70)
0.798(20.25)
0.777(19.75)
MECHANICAL DATA
• Case: TO-247AD/TO-3P Molded plastic
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Standard packaging: Any
• Weight: 0.2245 ounces, 6.3673 grams.
0.030(0.75)
0.017(0.45)
0.225(5.70)
0.204(5.20)
0.225(5.70)
0.204(5.20)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA ME TE R
Ma xi m um Re c urre nt P e a k Re ve r s e Vo lta g e
Ma xi m um RM S Vo lta g e
Ma xi m um D C B lo c k i ng Vo lta g e
Ma xi m um A ve ra g e F o r wa rd C ur re nt a t
T c = 9 0
O
C
P e a k F o rw a rd S urg e C urr e nt : 8 .3 ms s i ng le
ha lf s i ne -wa ve s up e ri mp o s e d o n ra te d lo a d
( J E D E C m e tho d )
Ma xi m um F o rwa r d Vo lta g e a t 2 0 A p e r le g
Ma xi m um D C Re ve rs e C urr e nt a t
Ra te d D C B lo c k i ng Vo lta g e
Typ i c a l The rma l Re s i s ta nc e
Op e ra ti ng J unc ti o n a nd S to ra g e Te m p e ra ture
Ra ng e
T
J
= 2 5
O
C
T
J
= 1 0 0
O
C
S YM B OL
S B 4 0 2 0 P T S B 4 0 3 0 P T S B 4 0 4 0 P T S B 4 0 4 5 P T S B 4 0 5 0 P T S B 4 0 6 0 P T
UN ITS
V
RRM
V
RM S
V
DC
I
F ( AV )
I
F S M
V
F
I
R
R
J
C
T
J
,T
S TG
-5 5 to + 1 2 5
0 .5 5
0 .2
50
1 .5
- 5 5 to + 1 5 0
20
14
20
30
21
30
40
28
40
40
45
3 1 .5
40
50
35
50
60
42
60
V
V
V
A
350
A
0 .7 0
V
mA
O
C /
W
C
O
NOTE:
Both Bonding and Chip structure are available.
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