Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> SB2045LFCT

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SB2045LFCT: 产品描述肖特基二极管; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小82KB，共2页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SB2045LFCT概述

肖特基二极管

功能特点

产品名称：肖特基二极管

产品型号：SB2045LFCT

参数：

重复反向电压峰值Vrrm：45V

最大平均整流电流Io：20A

最大前向浪涌电流I FSM：145A

正向压降VF：0.52V 当IF=10A时

最大反馈电流IR： 500uA 当VR=45V

封装：ITO-220AB

SB2045LFCT规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
零件包装代码	TO-220AB
包装说明	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN
针数	3
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW POWER LOSS
应用	EFFICIENCY
外壳连接	ISOLATED
配置	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流	145 A
元件数量	2
相数	1
端子数量	3
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	10 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压	45 V
表面贴装	NO
技术	SCHOTTKY
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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SB2045LFCT

DUAL HIGH-VOLTAGE SCHOTTKY RECTIFIER

VOLTAGE

FEATURES

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

45 Volts

CURRENT

20 Amperes

MECHANICAL DATA

Case : ITO-220AB, Plastic

Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

Weight: 0.055 ounces, 1.5615 grams

.177(4.5)

.137(3.5)

.027(.67)

.022(.57)

MAXIMUM RATINGS(T

=25

C unless otherwise noted)

PARAMETER

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum average forward rectified current

Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave

superimposed on rated load per diode

Typ i c a l the r ma l r e s i s ta nc e

Operating junction

Storage temperature range

per device

per diode

SYMBOL

RRM

F(AV)

FSM

ΘJC

STG

VALUE

145

4 .5

-55 to + 125

-55 to + 150

UNIT

C / W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T

=25

C unless otherwise noted)

PARAMETER

Breakdown voltage

Instantaneous forward voltage per

diode

(1)

Reverse current per diode

(2)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

=1mA

=5A

=10A

=45V

=25

=100

MIN.

TYP.

0.42

0.46

100

MAX.

0.46

0.52

500

100

UNIT

μA

Note.1.Pulse test : 300μs pulse width, 1% duty cycle

2.Pulse test : pulse width < 40ms

May 13,2010-REV.01

PAGE . 1

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