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SB1020_10

产品描述10 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小46KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SB1020_10概述

10 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC

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SB1020 SERIES
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Low power loss, high efficiency.
• Low forwrd voltage, high current capability
• High surge capacity.
• For use in low voltage,high frequency inverters
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.177(4.5)
MAX.
0.058(1.47)
0.042(1.07)
0.038(0.96)
0.019(0.50)
0.50(12.7)MIN.
0.063(1.6)MAX.
0.419(10.66)
0.387(9.85)
0.139(3.55)
MIN.
0.196(5.00)
0.163(4.16)
0.054(1.39)
0.045(1.15)
20 to 60 Volts
CURRENT
10 Amperes
0.624(15.87)
0.548(13.93)
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
free wheeling , and polarlity protection applications.
0.115(2.92)
0.080(2.03)
0.025(0.65)MAX.
MECHANICAL DATA
• Case: TO-220AC Molded plastic
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Standard packaging: Any
• Weight: 0.0655 ounces, 1.859 grams.
0.100(2.54)
0.100(2.54)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA M E TE R
Ma xi mum Re c ur r e nt P e a k Re ve r s e Vo lta g e
Ma xi mum RM S Vo lta g e
Ma xi mum D C B lo c k i ng Vo lta g e
Ma xi mum A ve r a g e F o r wa r d C ur r e nt a t
T
C
= 7 5
O
C
P e a k F o r wa r d S ur g e C ur r e nt :8 .3 m s s i ng le ha lf
s i ne -wa ve s up e r i m p o s e d o n r a te d lo a d
( J E D E C m e tho d )
Ma xi mum F o r wa r d Vo lta g e a t 1 0 A
Ma xi mum D C Re ve r s e C ur r e nt a t Ra te d
D C B lo c k i ng Vo lta g e
Typ i c a l The r m a l Re s i s ta nce
Op e r a ti ng J unc ti o n Te mp e r a tur e Ra ng e
S to r a g e Te m p e r a tur e Ra ng e
T
J
= 2 5
O
C
T
J
= 1 0 0
O
C
S YM B OL
S B 1 0 2 0
V
RRM
V
RM S
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
R
JC
T
J
T
S TG
20
14
20
SB1030
SB1040
SB 1045
SB 1050
SB1060
UNITS
V
V
V
A
30
21
30
40
28
40
10
45
3 1 .5
45
50
35
50
60
42
60
150
A
0 .5 5
0 .2
50
3 .0
- 5 5 to + 1 2 5
-55 to +150
-55 to +150
0 .7 5
V
mA
O
C / W
O
C
C
O
NOTE:
Both Bonding and Chip structure are available.
August 23,2010-REV.03
PAGE . 1
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