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SB10100LFCT

产品描述肖特基二极管
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小43KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SB10100LFCT概述

肖特基二极管

功能特点

产品名称:肖特基二极管


产品型号:SB10100LFCT


参数:


重复反向电压峰值Vrrm:100V


最大平均整流电流Io:10A


最大前向浪涌电流I FSM:250A


正向压降VF:0.72V 当IF=5A时


最大反馈电流IR: 50uA 当VR=100V


封装:ITO-220AB


SB10100LFCT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码TO-220AB
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

SB10100LFCT文档预览

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SB10100LFCT
LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER
100 Volts
VOLTAGE
CURRENT
FEATURES
0.112(2.85)
0.100(2.55)
0.272(6.9)
0.248(6.3)
10 Amperes
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.406(10.3)
0.381(9.7)
0.134(3.4)
0.118(3.0)
0.189(4.8)
0.165(4.2)
0.130(3.3)
0.114(2.9)
MECHANICAL DATA
Case : ITO-220AB, Plastic
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
0.606(15.4)
0.583(14.8)
0.543(13.8)
Weight: 0.055 ounces, 1.5615 grams
0.055(1.4)
0.039(1.0)
0.055(1.4)
0.039(1.0)
0.028(0.7)
0.019(0.5)
0.100(2.55)
0.177(4.5)
0.137(3.5)
0.512(13.0)
0.114(2.9)
0.098(2.5)
0.100(2.55)
0.027(0.67)
0.022(0.57)
MAXIMUM RATINGS ( T
A
=25
o
C unless otherwise noted )
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum rms voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
per device
per diode
per diode
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
I
F(AV)
I
FSM
R
JC
VALUE
100
70
10
5
200
10
-55 to + 150
-55 to + 150
O
UNIT
V
V
A
A
C / W
o
T
J
T
STG
C
C
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( T
A
=25
o
C unless otherwise noted )
PARAMETER
Breakdown voltage per diode
SYMBOL
V
BR
TEST CONDITIONS
I
R
=0.5mA
I
F
=1A
I
F
=2A
I
F
=5A
I
F
=1A
I
F
=2A
I
F
=5A
V
R
=70V
Reverse current per diode
(2)
MIN.
-
TYP.
100
0.45
0.56
0.67
0.35
0.48
0.60
10
-
-
MAX.
-
-
0.60
0.72
-
0.52
0.64
-
50
30
UNIT
V
V
T
J
=25 C
o
Instantaneous forward voltage per
diode
(1)
-
-
-
-
-
V
F
T
J
=125
o
C
V
A
A
mA
I
R
V
R
=100V
T
J
=25
o
C
T
J
=125
o
C
-
-
NOTE :
1.Pulse test : 380μs pulse width, 1% duty cycle
2.Pulse test : Pulse width < 2.5ms
March 15,2011-REV.05
PAGE . 1
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