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SA120

产品描述500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AC
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小95KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SA120概述

500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AC

SA120规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码DO-15
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大击穿电压169 V
最小击穿电压133 V
击穿电压标称值151 V
外壳连接ISOLATED
最大钳位电压214 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-15
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压120 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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SA5.0~SA220CA
GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 500 Watts
STAND-OFF VOLTAGE
5.0 to 220 Volts
DO-15
Unit: inch(mm)
FEATURES
1.0(25.4)MIN.
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• Glass passivated chip junction in DO-15 package
• 500W surge capability at 1ms
• Excellent clamping capability
• Low zener impedance
.034(.86)
.028(.71)
.300(7.6)
• Typical IR less than 1µA above 10V
• High temperature soldering guaranteed: 260°C/10 seconds/.375"
,(9.5mm) lead length/5lbs., (2.3kg) tension
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
.230(5.8)
• Fast response time: typically less than 1.0 ps from 0 volts to BV min
.140(3.6)
1.0(25.4)MIN.
.104(2.6)
MECHANICAL DATA
• Case: JEDEC DO-15 molded plastic
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Color band denoted cathode except Bipolar
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.014 ounce, 0.397 gram
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICAIONS
For Bidirectional use C or CA Suffix for types Electrical characteristics apply in both directions.
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS
Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.
For Capacitive load derate current by 20%.
RATING
Peak Pulse Power Dissipation at T
A
=25°C, T
P
=1ms(Note 1, Fig.1)
Peak Pulse Current of on 10/1000µs waveform (Note 1,Fig.3)
Typical Thermal Resistance Junction to Air Lead Lengths .375",(9.5mm)
(Note 2)
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed
on Rated Load(JECED Method) (Note 3)
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
P
PPM
I
PPM
R
θJA
VALUE
500
SEE TABLE 1
50
UNITS
Watts
Amps
°C / W
I
FSM
T
J
, T
STG
70
-65 to +175
Amps
°C
NOTES:
1.Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T
A
=25°Cper Fig. 2.
2.Mounted on Copper Leaf area of 1.57in
2
(40mm
2
).
3.8.3ms single half sine-wave, duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.
STAD-SEP.02.2008
PAGE . 1
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