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PJSD05LFN2

产品描述Protection Device TVS/ESD Arrays
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小141KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJSD05LFN2概述

Protection Device TVS/ESD Arrays

功能特点

产品名称:Protection Device TVS/ESD Arrays


产品型号:PJSD05LFN2


产品参数:


Peak Power Dissipation 8x20μs PPPM :40W


Reverse Stand-off Voltage VRWM: Max=5V


Reverse Leakage IR@VRWM : Max=1μA


Max Clamping Voltage@8x20μs PPPM Vc@Ipp :9.8V


Peak Pulse Current 8x20μs PPPM Ipp :4A


Off-State Capacitance, 1MHz Zero dc Bias Co :Max=35pF


Package:DNF 2L



PJSD05LFN2规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码DFN
包装说明R-PBCC-N2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最小击穿电压6.2 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PBCC-N2
最大非重复峰值反向功率耗散40 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.25 W
最大重复峰值反向电压5 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

PJSD05LFN2文档预览

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PJSD05LFN2
ESD PROTECTION DIODES
FEATURES
• IEC61000-4-2 Level 4 ESD Protection
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives.
0.026(0.65)
0.022(0.55)
DFN 2L
0.042(1.05)
0.037(0.95)
Unit
inch(mm)
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
MECHANICAL DATA
• Case: DFN 2L, Plastic
• Weight: 0.00004 ounces, 0.0011grams
• Polarity : see cathode band
0.022(0.55)
0.017(0.45)
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
0.002(0.05)MAX.
0.013(0.32)
0.008(0.22)
0.014(0.36)
2
Anode
PIN NO.1
IDENTIFICATION
MAXIMUM RATINGS
Rating
To ta l P o we r D i s s i p a t i o n o n F R-4 B o a rd
( No te 1 )@ T
A
= 2 5
o
C
P e a k P o we r D i s s i p a ti o n 8 /2 0 S ur g e P uls e
The r ma l Re s i s ta nc e J unc t i o n t o A mb i e nt
L e a d S o ld e r Te m p e ra t ure - Ma xi m um
( 1 0 S e c o nd D ur a ti o n)
O p e r a ti ng J unc t i o n a nd S t o ra g e Te m p e ra t ure Ra ng e
Symbol
P
D
P
PM
R
θJ
A
T
L
T
J
, T
S TG
Value
250
40
500
260
-55 to +150
0.022(0.55)
0.017(0.45)
1
Cathode
Units
mW
W
o
C/W
o
C
C
o
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Rating are stress ratings only. Functional
operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Note : 1.FR-4 = 70 x 60 x 1mm.
November 29,2010-REV.00
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