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PJSD05FN2

产品描述Protection Device TVS/ESD Arrays
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小121KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJSD05FN2概述

Protection Device TVS/ESD Arrays

功能特点

产品名称:Protection Device TVS/ESD Arrays


产品型号:PJSD05FN2


产品参数:


Peak Power Dissipation 8x20μs PPPM :200W


Reverse Stand-off Voltage VRWM: Max=5V


Reverse Leakage IR@VRWM : Max=1μA


Max Clamping Voltage@8x20μs PPPM Vc@Ipp :11/14V


Peak Pulse Current 8x20μs PPPM Ipp :5/15A


Off-State Capacitance, 1MHz Zero dc Bias Co :Max=160pF


Package:DNF 2L



PJSD05FN2规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DFN
包装说明R-PBCC-N2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大击穿电压7.2 V
最小击穿电压6 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PBCC-N2
最大非重复峰值反向功率耗散200 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-50 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压5 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

PJSD05FN2文档预览

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PJSD05FN2
SINGLE LINE TVS DIODE FOR ESD PROTECTION PORTABLE ELECTRONICS
VOLTAGE
FEATURES
• Small package for use in portable electronics
• IEC61000-4-2 8KV contact 15KV Air compliant
• Low clamping voltage and leakage current
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives.
0.022(0.55)
0.017(0.45)
0.026(0.65)
0.022(0.55)
5 Volts
POWER
200 Watts
DFN 2L
0.042(1.05)
0.037(0.95)
Unit
inch(mm)
• 200 Watts peak pules power( tp=8/20
μs)
• Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free)
MECHANICAL DATA
• Case: DFN 2L plastic
• Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity : Color band cathode
:
• Marking : BA
0.002(0.05)MAX.
0.013(0.32)
0.008(0.22)
0.014(0.36)
APPLICATIONS
• Video I/O ports protection
• Set Top Boxes
• Portable Instrumentation
1
Cathode
2
Anode
PIN NO.1
IDENTIFICATION
MAXIMUM RATINGS
ABSOLUTE MAXIMUM RATING
Rating
Peak Pulse Power (tp=8/20
μs)
Maximum Peak Pulse Current
ESD Voltage per HBM MIL-STD-883
Operating Junction and Storage Temperature Range
Symbol
P
PP
I
PPM
V
ESD
T
J,
T
STG
Value
200
18
25
-50 to +150
0.022(0.55)
0.017(0.45)
Units
W
A
KV
O
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Reverse Stand-Off Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Clamping Voltage(8/20μs)
Clamping Voltage(8/20μs)
Off State Junction Capacitance
Off State Junction Capacitance
Symbol
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
V
C
C
J
C
J
Conditions
-
I
BR
=1mA
V
R
=5V
I
PP
=5A
I
PP
=15A
0Vdc Bias=f=1MHz
5Vdc Bias=f=1MHz
Min.
-
6.0
-
-
-
-
-
Typical
-
-
-
-
-
-
-
Max.
5
7.2
1
11
14
160
80
Units
V
V
μA
V
V
pF
pF
January 11,2011-REV.01
PAGE . 1
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当然这个对比有点不公平,那一个系列来和一款芯片对决。但是在arm中我之使用过着两种。 首先说说中断,s3的中断匪夷所思,看明白了就是调不通,再跑ucos的时候除了定时中断外没有正常工作的 ......
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