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PJSD05CTG

产品描述Protection Device TVS/ESD Arrays
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小182KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJSD05CTG概述

Protection Device TVS/ESD Arrays

功能特点

产品名称:Protection Device TVS/ESD Arrays


产品型号:PJSD05CTG


产品参数:


Peak Power Dissipation 8x20μs PPPM :100W


Reverse Stand-off Voltage VRWM: Max=5V


Reverse Leakage IR@VRWM : Max=0.5μA


Max Clamping Voltage@8x20μs PPPM Vc@Ipp :12/15V


Peak Pulse Current 8x20μs PPPM Ipp :1/4A


Off-State Capacitance, 1MHz Zero dc Bias Co :Max=30pF


Package:SOD-723



PJSD05CTG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大击穿电压7.82 V
最小击穿电压5.78 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
最大非重复峰值反向功率耗散100 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压5 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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PJSD05CTG
BI-DIRECTIONAL ESD PROTECTION DIODE
This Penta has been designed to Protect Sensitive Equipment against ESD and to prevent Latch-Up
events in CMOS circuitry operating at 5Vdc and below.This offers an integrated solution to protect up to
data line where the board space is a premium.
SPECIFICATION FEATURES
• 100W Power Dippsipation (8/20µs Waveform)
• Low Leakage Current,Maximum of 0.5µA@5Vdc
• Very low Clamping voltage
• IEC 61000-4-2 ESD 15kV air, 8kV Contact Compliance
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directivess
APPLICATIONS
• Video I/O ports protection
• Set Top Boxes
• Portable Instrumentation
• Case : SOD-723, Plastic
• Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight : 0.0007gram
• Marking : RB
MAXIMUM RATINGS
Rating
Peak Pulse Power (8/20
µ
s Waveform)
Peak Pulse Current (8/20
µ
s Waveform)
ESD Voltage (HBM)
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
Symbol
Value
100
5.0
>25
-55 to 150
Units
W
A
kV
O
P
PP
I
PP
V
ESD
T
J
, T
S TG
C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25
o
C)
Parameter
Reverse Stand-Off Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Clamping Voltage (8/20
µ
s)
Clamping Voltage (8/20
µ
s)
Off State Junction Capacitance
Off State Junction Capacitance
Symbol
V
WRM
V
BR
I
R
V
C
V
C
C
J
C
J
Conditions
Min.
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
Max.
5.0
7.82
0.5
12
15
30
25
Units
V
V
µA
V
V
pF
pF
I
BR
=1mA
V
R
=3.5V
I
PP
=1A
I
PP
=4A
0 Vdc Bias f=1MHz
5 Vdc Bias f=1MHz
5.78
-
-
-
-
-
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