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PJSD03LCTS

产品描述Protection Device TVS/ESD Arrays
产品类别分立半导体   
文件大小86KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJSD03LCTS概述

Protection Device TVS/ESD Arrays

功能特点

产品名称:Protection Device TVS/ESD Arrays


产品型号:PJSD03LCTS


产品参数:


Peak Power Dissipation 8x20μs PPPM :120W


Reverse Stand-off Voltage VRWM: Max=3.3V


Reverse Leakage IR@VRWM : Max=100μA


Max Clamping Voltage@8x20μs PPPM Vc@Ipp :11V


Peak Pulse Current 8x20μs PPPM Ipp :5A


Off-State Capacitance, 1MHz Zero dc Bias Co :Max=3pF


Package:SOD-523



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PJSD03LCTS~PJSD05LCTS
SINGLE LINE LOW CAPACITIANCE TVS DIODE FOR ESD PROTECTION
PORTABLE ELECTRONICS
VOLTAGE
FEATURES
• 120 Watts peak pules power( tp=8/20µs)
• Small package for use in portable electronics
• Suitable replacement for MLV’S in ESD protection applications
• Low clamping voltage and leakage current
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
3~5 Volts
POWER
120 Watts
APPLICATIONS
• Case: SOD-523 plastic
• Terminals : Solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Approx Weight: 0.0014 grams
• Marking : PJSD03LCTS : PL
PJSD05LCTS : PM
1
2
Fig.139
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHATACTERISTICS
ABSOLUTE MAXIMUM RATING
Rating
Peak Pulse Power (tp=8/20
µ
s)
ESD Voltage
Operating Temperature
Storage Temperature
Symbol
Value
120
25
-55 to 150
-55 to 150
Units
W
KV
O
P
PK
V
ESD
T
J
T
STG
C
C
O
ELECTRICAL CHARA CTERISTICS
PJSD03LCTS
Parameter
Reverse Stand-Off Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Reverse Leakage Current
Clamping Voltage(8/20
µ
s)
Off State Junction Capacitance
Symbol
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
C
J
Conditions
-
I
BR
=1mA
V
R
=3.3V
I
PP
=5A
0Vdc Bias=f=1MHz
Min.
-
4
-
-
-
Typical
-
4.9
-
9.5
0.5
Max.
3.3
-
100
11
3
Units
V
V
µA
V
pF
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