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PJQA6V8C: 产品描述Protection Device TVS/ESD Arrays; 产品类别分立半导体; 文件大小204KB，共3页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJQA6V8C概述

Protection Device TVS/ESD Arrays

功能特点

产品名称：Protection Device TVS/ESD Arrays

产品型号：PJQA6V8C

产品参数：

Peak Power Dissipation 8x20μs PPPM ：150W

Reverse Stand-off Voltage VRWM： Max=5V

Reverse Leakage IR@VRWM ： Max=1μA

Max Clamping Voltage@8x20μs PPPM Vc@Ipp ：

Peak Pulse Current 8x20μs PPPM Ipp ：

Off-State Capacitance, 1MHz Zero dc Bias Co ：Max=240pF

Package：SOT-23-6L

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PJQA6V8C

ESD Protection diode

VOLTAGE

FEATURES

• ESD Protection

• Small mold type

• Silicon epitaxial planar

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

5.0 Volts

POEWR

150 Watts

MECHANCALDATA

Case: SOT23-6L Molded plastic

Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25

Parameter

Power dissipation

Peak Pulse Power-1(tp=10 x 1000us)

Peak Pulse Power-2(tp=8 x 20us)

Junction temperature

Storage temperature

Symbol

STG

Limits

200

150

-55 to + 150

Unit

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25

Parameter

Zener voltage

Reverse current

Forward current

Junction capacitance

Symbol

Min

6.1

Typ

Max

7.2

1.25

240

Unit

µA

Conditions

= 1mA

= 5.0V

= 200mA

= 0V, f = 1MHz

REV.0.1-FEB.16.2009

PAGE . 1

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