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PJESDA6V8-5G

产品描述Protection Device TVS/ESD Arrays
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小172KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJESDA6V8-5G概述

Protection Device TVS/ESD Arrays

功能特点

产品名称:Protection Device TVS/ESD Arrays


产品型号:PJESDA6V8-5G


产品参数:


Peak Power Dissipation 8x20μs PPPM :40W


Reverse Stand-off Voltage VRWM: Max=5V


Reverse Leakage IR@VRWM : Max=1μA


Max Clamping Voltage@8x20μs PPPM Vc@Ipp : 12V


Peak Pulse Current 8x20μs PPPM Ipp :4A


Off-State Capacitance, 1MHz Zero dc Bias Co :Max=35pF


Package:SOT-563



PJESDA6V8-5G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PDSO-F6
针数6
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大击穿电压7.04 V
最小击穿电压6.37 V
配置COMMON ANODE, 5 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F6
最大非重复峰值反向功率耗散40 W
元件数量5
端子数量6
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.3 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压5 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

PJESDA6V8-5G文档预览

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PJESDA5V6-5G SERIES
QUAD ARRAY FOR ESD PROTECTION
FEATURES
• Low Leakage < 1A@V
RWM
• Breakdown Voltage : 5.6Volt-6.7Volt@1mA
• ESD Protection Meeting IEC61000-4-2-Level 4
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
SOT-563
MECHANICAL DATA
Case : SOT-563, Plastic
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Approx. Weight : 0.003 gram
MAXIMUM RATINGS (T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
Parameter
P e a k P o we r D i s s i p a ti o n (8 x2 0
s @ T
A
= 2 5
o
C )(No t e 1 )
S t e a d y S t a te P o we r- 1 D i o d e ( No t e 2 )
The r ma l Re s i s ta nc e J unc t i o n t o A m b i e nt A b o ve 2 5
o
C , D e ra t e
L e a d S o ld e r Te m p e ra t ure ( 1 0 s e c o nd s d ura t i o n)
O p e r a t i ng J unc t i o n a nd S t o ra g e Te m p e ra t ure R a ng e
Symbol
P
PK
P
D
R
JA
T
L
T
J
,T
S TG
Limits
40
300
370
2.7
260
-55 to +150
Unit
W
mW
C/W
mW/
o
C
o
o
C
C
o
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional
operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Condtions may affect device reliability.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
=25
o
C)
B re a k do wn Volta g e
V
B R
@1mA ( Vo lts )
Mi n
V
PJESDA5V6-5G
PJESDA6V2-5G
PJESDA6V8-5G
5.32
5.89
6.37
No m
V
5.6
6.2
6.7
Ma x
V
5.88
6.51
7.04
L e a k ag e C urre nt
I
RM
@V
RM
V
RWM
V
3.0
4.3
5.0
I
RWM
V
C
Ma x@I
P P
V
C
V
10
11
12
I
PP
A
5.0
4.5
4.0
Part Number
Ma x Capacitance
@0V Bias
(1MHz)
pF
45
40
35
Marking
A
1
1
1
SQ
ST
SU
1.Non-repetitive current per Figure 1.
2.Only 1 diode under power. For all 4 diodes under power, P
D
will be 25%. Mounted on FR-4 board with min pad
REV.0.1-JUN.11.2009
PAGE . 1
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