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PJESDA6V2-4LCG

产品描述20 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小207KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJESDA6V2-4LCG概述

20 W, UNIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE

PJESDA6V2-4LCG规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-F5
针数5
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大击穿电压6.51 V
最小击穿电压5.89 V
配置COMMON ANODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F5
最大非重复峰值反向功率耗散20 W
元件数量4
端子数量5
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.38 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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PJESDA5V6-4LCG SERIES
LOW CAPACITANCE QUAD ARREY FOR ESD
PROTECTION
FEATURES
• ESD Protection : IEC61000-4-2
• Four Separate Unidirectional Configurations for Protection
• Low Leakage Current < 1µA @ 3Volts
• Power Dissipation : 380mW
• Low Capacitance
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
SOT-553
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-553, Molded Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.002 gram
• Mounting Position: Any
MAXIMUM RATINGS (T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
Parameter
Peak Power Dissipation (8x20
µ
s@T
A
=25
o
C) (Note 1)
Steady State Power-1 Diode (Note 2)
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient Above 25
o
C Derate
Maximum Junction Temperature
Operating Junction and Storage Temperature Range
Lead Solder Temperature (10 seconds duration)
Symbol
P
PK
P
D
R
Θ
JA
T
JMAX
T
J
,T
STG
T
L
Value
20
380
327
3.05
150
-55 to +150
260
Units
W
mW
O
C/W
mW/
O
C
O
C
C
C
O
O
ELECTRAICAL CHARACTERISTICS(T
A
=25
o
C)
B r e a k d o wn Vo lta g e
V
BR
@1 mA (V o lts )
M i n.
PJESDA5V6-4LCG
PJESDA6V2-4LCG
PJESDA6V8-4LCG
5.32
5.89
6.37
No m.
5.60
6.20
6.71
M a x.
5.88
6.51
7.04
Leakage Current
I
RM
@V
RM
V
RWM
3.0
4.3
5
I
RWM
(m A )
0.5
0.5
0.5
Typ Capacitance@0V Typ Capacitance@3V
Marking
Bias (pF)(Note 3)
Bias (pF)(Note 3)
Ty p
13
12
12
Max
17
16
15
Ty p
7.0
7.0
6.7
Max
11.5
10.0
9.5
Part Number
V
C
M
AX
@I
PP
V
C
(V)
13
13
13
I
PP
(A)
1.6
1.6
1.6
C ode
SH
SJ
SL
6
NOTES :
1.Non-repetitive current per Figure 1.
2.Only 1 diode under power. For all 4 diodes under power,P
D
will be 25%.
Mounted on FR-4 board with min pad.
3.Capacitance of one diode at f=1MHz, V
R
=0V, T
A
=25
o
C
4
1
STAD-JAN.15.2008
2
3
PAGE . 1
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