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PG5400

产品描述3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小41KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PG5400概述

3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

PG5400规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-201AD
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

PG5400文档预览

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PG5400~PG5408
GLASS PASSIVATED JUNCTION PLASTIC RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
1.0(25.4)MIN.
50 to 1000 Volts
CURRENT
3.0 Ampere
DO-201AD
Unit: inch(mm)
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Glass passivated junction
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
.052(1.3)
.048(1.2)
.375(9.5)
MECHANICALDATA
• Case: Molded plastic, DO-201AD
• Terminals: Axial leads, solderable to MIL-STD-750,Method 2026
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0395 ounce, 1.122 gram
• Polarity: Color Band denotes cathode end
.285(7.2)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load,derate current by 20%.
PA RA ME TE R
Ma xi m um Re c urr e nt P e a k Re ve r s e Vo lta g e
Ma xi m um RMS Vo lta g e
Ma xi m um D C B lo c k i ng Vo lta g e
Ma xi m um A ve r a g e F o r wa rd C urre nt .3 7 5 " ( 9 .5 mm)
le a d le ng th
P e a k F o r wa rd S urg e C urr e nt : 8 .3 ms s i ng le ha lf
s i ne -wa ve s up e ri mp o s e d o n r a te d lo a d (J E D E C
me tho d )
Ma xi m um F o r wa rd Vo lta g e a t 3 .0 A
Ma xi m um D C Re ve rs e C urr e nt T
J
=2 5
O
C
a t Ra te d D C B lo c k i ng Vo lta g e T
J
=1 0 0
O
C
Typ i c a l J unc ti o n c a p a c i ta nc e (No te 1 )
Typ i c a l The rma l Re s i s ta nc e ( No te 2 )
Op e ra ti ng J unc ti o n a nd S to ra g e Te mp e r a ture
Ra ng e
S YMB OL
P G5 4 0 0 P G5 4 0 1 P G5 4 0 2 P G5 4 0 3 P G5 4 0 4 P G5 4 0 5 P G5 4 0 6 P G5 4 0 7 P G5 4 0 8
UNITS
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
C
J
R
θ
JL
R
θJC
T
J
,T
S TG
50
35
50
100
70
100
200
140
200
300
210
300
400
280
400
3 .0
500
350
500
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
1.0(25.4)MIN.
.210(5.3)
.188(4.8)
150
A
1 .2
1 .0
100
30
24
19
-5 5 to +1 5 0
O
V
μ
A
pF
C / W
O
C
NOTES:
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.
2. Thermal Resistance from Junction to Ambient and from junction to lead at 0.375”(9.5mm)lead length P.C.B.mounted.
STAD-MAR.26.2010
2
PAGE . 1
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