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PG4933_09

产品描述1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小58KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PG4933_09概述

1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

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PG4933 ~ PG4937
GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST RECOVERY PLASTIC RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• High current capability.
1.0(25.4)MIN.
50 to 600 Volts
CURRENT
1.0 Amperes
DO-41
Unit: inch(mm)
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Fast switching for high efficiency.
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
.034(.86)
.028(.71)
MECHANICALDATA
• Case: Molded plastic, DO-41
• Terminals: Axial leads, solderable to MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: Color Band denotes cathode end
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0118 ounce, 0.336 gram
.205(5.2)
.160(4.1)
.107(2.7)
1.0(25.4)MIN.
.080(2.0)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load, 60Hz.
PARAMETER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current .375"(9.5mm)
lead length at T
A
=55
O
C
Peak Forward Surge Current : 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load(JEDEC method)
Maximum Forward Voltage at 1.0A
Maximum DC Reverse Current T
J
=25
O
C
at Rated DC Blocking Voltage T
J
=100
O
C
Typical Junction capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance(Note 3)
Maximum Reverse Recovery Time ( Note 1)
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
R R M
V
R M S
V
D C
I
F (A V )
I
F S M
V
F
I
R
C
J
R
θ
JA
t
rr
T
J
,T
S T G
PG4933
50
35
50
PG4934
100
70
100
PG4935
200
140
200
1.0
30
1.2
5.0
150
12
67
200
-55 to +150
PG4936
400
280
400
PG4937
600
420
600
UNITS
V
V
V
A
A
V
µA
pF
O
C/W
ns
O
C
NOTES:1. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=.5A, I
R
=1A, I
rr
=.25A
2. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC
3. Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead length 0.375"(9.5mm) P.C.B. mounted
STAD-MAR.03.2009
1
PAGE . 1
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