Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> PDZ11B

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PDZ11B: 产品描述11 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小106KB，共4页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PDZ11B概述

11 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

PDZ11B规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	R-PDSO-F2
针数	2
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	ZENER DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-F2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	0.4 W
认证状态	Not Qualified
标称参考电压	11 V
表面贴装	YES
技术	ZENER
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
最大电压容差	2%

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PDZ4.7B ~ PDZ36B

SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

VOLTAGE

4.7 to 36 Volts

POWER

400 mWatts

FEATURES

• Planar Die construction

• 400mW Power Dissipation

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives

0.054(1.35)

0.045(1.15)

0.014(0.35)

0.009(0.25)

0.038(0.95)

0.027(0.70)

0.078(1.95)

0.068(1.75)

MECHANICAL DATA

• Case: SOD-323, Molded Plastic

• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: See Diagram Below

• Weight: 0.0001 ounce, 0.0041 gram

• Mounting Position: Any

0.107(2.7)

0.090(2.3)

0.012(0.30)MIN.

0.006(0.15)

0.002(0.05)

Cathode

Anode

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

Maximum Power Dissipation (Note A) at 25

Operating Junction and Storage Temperature Range

Thermal Resistance, Junction to Ambient

SYMBOL

θJA

LIMITS

400

-55 to + 150

325

UNIT

C/W

NOTE:

A.Mounted on 5.0mm

(.013mm thick) land areas

October 01,2010-REV.00

PAGE . 1

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