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P600D

产品描述6 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小34KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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P600D概述

6 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

P600D规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明O-PALF-W2
针数2
Reach Compliance Codecompli
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流400 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流6 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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P600A~P600M
HIGH CURRENT PLASTIC SILICON RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
1.0(25.4)MIN.
50 to1000 Volts
CURRENT
6.0 Amperes
P-600
Unit: inch(mm)
• Plastic package has Underwriters Laboratories
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• High current capability.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low leakage.
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
.052(1.3)
.048(1.2)
.360(9.1)
MECHANICALDATA
• Case: Molded plastic, P-600
• Terminals: Axial leads, solderable to MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: Color Band denotes cathode
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0719 ounce, 2.04 gram
.340(8.6)
.360(9.1)
1.0(25.4)MIN.
.340(8.6)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Resistive or inductive load, 60Hz.
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt . 3 7 5 " ( 9 . 5 m m )
l e a d l e ng t h
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne - w a ve
s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d ) ( N o t e 1 )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 6 . 0 A
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt T
J
= 2 5
O
C
a t R a t e d D C B l o c k i ng Vo l t a g e T
J
= 1 0 0
O
C
Ty p i c a l J u n c t i o n c a p a c i t a n c e ( N o t e 2 )
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e ( N o t e 3 )
O p e r a t i n g a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L
P 6 0 0 A P 6 0 0 B P 6 0 0 D P 6 0 0 G P 6 0 0 J P 6 0 0 K P 6 0 0 M
U N I T S
V
RRM
V
RMS
V
D C
I
F ( A V )
I
F S M
V
F
I
R
C
J
R
θ
J A
R
θ
J L
T
J
, T
S T G
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
6 .0
400
1 .0
10
1000
150
20
4 .0
-5 5 to +1 5 0
O
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
V
µ
A
pF
C / W
O
C
NOTES:
1.Peak forward surge current, per 8.3ms single half- sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method)
2. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.
3.Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead at 0.375"(9.5mm) P.C.B. mounted with
1.0 x 1.0 ( 30 x 30mm ) copper pads.
STAD-FEB.05.2009
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