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P4KE_08

产品描述400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小95KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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P4KE_08概述

400 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AL

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P4KE SERIES
GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 400 Watts
BREAK DOWN VOLTAGE
6.8 to 440 Volts
DO-41
Unit: inch(mm)
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
1.0(25.4)MIN.
.034(.86)
.028(.71)
• Excellent clamping capability
• Low zener impedance
• Fast response time: typically less than 1.0 ps from 0 volts to BV min
• Typical I
R
less than 1µA above 10V
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
• Case: JEDEC DO-41 Molded plastic
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Color band denoted cathode except Bipolar
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0118 ounce, 0.336 gram
.205(5.2)
.160(4.1)
.107(2.7)
1.0(25.4)MIN.
.080(2.0)
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS
Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified.
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS
For Bidirectional use C or CA Suffix for types
Electrical characteristics apply in both directions.
R ating
Peak Power D i ssi pati on at T
A
=25
O
Symbol
P
P K
R
θ
JA
I
F S M
T
J
,T
S T G
Value
400
60
40
-65 to +175
Uni ts
Watts
O
C , Tp=1ms (Note 1)
Typi cal Thermal Resi stance Juncti on to Ai r Lead Lengths .375",(9.5mm) (Note 2)
Peak Forward Surge C urrent, 8.3ms Si ngle Half Si ne-Wave Superi mposed on
Rated Load(JEC ED Method) (Note 3)
Operati ng Juncti on and Storage Temperature Range
C/W
Amps
O
C
NOTES:
1. Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T
A
=25°C per Fig.
2.
2. Mounted on Copper Leaf area of 1.57 in
2
(40mm
2
).
3. 8.3ms single half sine-wave, duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.
STAD-SEP.02.2008
PAGE . 1
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