Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> P4KE82A

文档预览

P4KE82A: 产品描述保护瞬态电压抑制器; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小165KB，共4页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档在线购买

详细参数全文预览

P4KE82A在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	P4KE82A	-	-	点击查看	点击购买

P4KE82A概述

保护瞬态电压抑制器

功能特点

产品名称：保护瞬态电压抑制器

产品型号：P4KE82A

产品参数：

Power Dissipation功耗：Ppp：400W

Reverse Stand-off Voltage反向电压：VRWM：70.1V

Breakdown Voltage击穿电压：VBR@IT：Min：77.9V，Max：86.1V

Test Current：IT：1mA

Reverse Leakage反向漏：IR@VRWM：UNI：1μA，

Max. Clamp Voltage 10/1000μs最大钳电压Vc@Ipp：113V

Peak Pulse Current 10/1000μs 脉冲电流峰值Ipp：3.7A

封装：DO-41

P4KE82A规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
零件包装代码	DO-41
包装说明	O-PALF-W2
针数	2
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	86.1 V
最小击穿电压	77.9 V
击穿电压标称值	82 V
外壳连接	ISOLATED
最大钳位电压	113 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-41
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散	400 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压	70.1 V
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

P4KE82A文档预览

下载PDF文档

全文
预览

P4KE SERIES

GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR POWER 400 Watts

BREAK DOWN VOLTAGE

FEATURES

• Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O

• Excellent clamping capability

• Low zener impedance

• Fast response time: typically less than 1.0 ps from 0 volts to BV min

• Typical I

less than 1µA above 10V

0.205(5.2)

0.160(4.1)

0.034(0.86)

0.028(0.71)

6.8 to 440 Volts

• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives

MECHANICAL DATA

• Case: JEDEC DO-41 Molded plastic

• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026

• Polarity: Color band denoted cathode except Bipolar

• Mounting Position: Any

• Weight: 0.012 ounce, 0.336 gram

MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS

Rating at 25°Cambient temperature unless otherwise specified.

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA Suffix for types

Electrical characteristics apply in both directions.

R ating

Peak Power D i ssi pati on at T

=25

Symbol

P K

F S M

S T G

1.0(25.4)MIN.

0.107(2.7)

0.080(2.0)

Value

400

-65 to +175

Uni ts

Watts

C , Tp=1ms (Note 1)

Typi cal Thermal Resi stance Juncti on to Ai r Lead Lengths .375",(9.5mm) (Note 2)

Peak Forward Surge C urrent, 8.3ms Si ngle Half Si ne-Wave Superi mposed on

Rated Load(JEC ED Method) (Note 3)

Operati ng Juncti on and Storage Temperature Range

C/W

Amps

NOTES:

1. Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T

=25°C per Fig.

2. Mounted on Copper Leaf area of 1.57 in

(40mm

3. 8.3ms single half sine-wave, duty cycle= 4 pulses per minutes maximum.

STAD-SEP.02.2008

PAGE . 1

推荐资源

如何用三轴加速度计算出倾角？: 现在用的是SCA3060三轴加速度传感器，请问如何计算出倾角。。。...; kangqiaoyibie 单片机

求助各位大神，怎么用单片机做个红外信号编码分析器，给点思路吧: :congratulate:各位大神，怎么用单片机做个红外信号编码分析器，给点思路吧。毕业设计，分析器到底是做些什么的，没一点头绪啊:Sad:，能不能给些思路。...; 梦的延续 51单片机

Linux内核编码风格(编程代码风格推荐): by 一朝成名这是翻译版本，英文原版是linux源码Documentation文件夹下的CodingStyle 一个良好风格的程序看起来直观、美观，便于阅读，还能有助于对程序的理解，特别在代码量比较大情况下 ......; 电子制作 Linux开发

掌握这几步充分发挥eFPGA性能，SoC架构师都懂的选型技巧: 嵌入式FPGA（eFPGA）是指将一个或多个FPGA以IP的形式嵌入ASIC，ASSP或SoC等芯片中。　　换句话说，eFPGA是一种数字可重构结构，由可编程互连中的可编程逻辑组成，通常表现为矩形阵列，数 ......; Aguilera 微控制器 MCU

（原创）痛批3G网络监控之三点害处: （完全原创，转载就注明出处）黄婆卖瓜要自卖自夸，但今天我就要狠批一下我们自己的“瓜”。 3G网络监控好处很多，能解决很多普通网络监控解决不了的问题，也为网络监控的安装简单了很多 ......; 深圳小姚工业自动化与控制

新品大盘点 CES2006消费电子展闭幕: 本帖最后由 jameswangsynnex 于 2015-3-3 20:00 编辑 ...; aifang 消费电子

台湾拓墣：中国内需市场引领下半年产业成长

拓墣产业研究所(TRI)指出，随着中国政府4兆元扩大内需政策激活，以及“家电下乡”、“以旧换新”、“节能产品惠民工程”、“十大产业振兴规划”等计划的推行，对今年2月前有失速之虞的中国经济发挥了振衰功能，整体效果在今年第一季末陆续出现。拓墣表示，自今年3月后，从出口金额、社会消费品零售额、城镇固定资产投资、制造业PMI指数来看已有逐渐回温迹象，而中国内需消费市场将是引领复苏的重要关...[详细]
台湾半导体业第二季业绩大涨第三季有望继续

急单效应持续发酵，打破过去电子业传统“5穷6绝”景气循环，半导体厂第二季普遍可望较第一季高成长;根据多家厂商预期，第三季旺季来临，业绩将较第二季再成长。金融海啸冲击产业景气反转，已于去年第四季及今年第一季落底，成为各界共识;尽管欧美市场需求依然疲软，不过，大陆市场急单获利，加上市场通路积极回补库存，半导体厂第二季业绩普遍较第一季高成长。网通芯片厂瑞昱半导体第二季营收即可...[详细]
Nvidia正与GloFo谈判合作台积电很郁闷

Nvidia首席执行官黄仁勋(Jen-HsunHuang)日前证实称，该公司正在于AMD剥离的芯片加工企业GlobalFoundries（GloFo）谈判有关在将来生产Nvidia图形处理器的事情。Theinquirer网站今年3月报道称，黄仁勋已经会见了GlobalFoundries公司的代表。现在中国的网站Expreview发表一篇采访黄仁勋的文章。黄仁勋在采访中明确表...[详细]
台积电震荡背后：一封信让张忠谋10分钟撤CEO

台积电董事长张忠谋(左)和前CEO蔡力行(右)　　导读：台湾《商业周刊》昨日撰文独家披露台积电CEO蔡力行下台内幕：董事长张忠谋用超过十年的时间，培养蔡力行做接班人，却因一封员工来信，只用十分钟董事会决议的时间，收回他的权力。以下为全文：　　“Rick(台积电前CEO蔡力行英文名)被留校察看了吗？”“怎么会这么严重？！”　　6月11日下午三点钟，台积电两万名员工收到一封电子邮件...[详细]
三星和东芝延续NAND闪存专利交叉许可协议

SamsungElectronics和Toshiba延长了与NAND闪存相关的交叉许可协议。这两家公司是全球最领先的两家NAND闪存巨头，Samsung和Toshiba所占的市场份额分别为42%和29.3%。Hynix排名第三，占12.3%的市场份额。2007年，Samsung和Toshiba就各自的专利技术展开交叉互换协议。上个月，Samsung延长了Sa...[详细]
MIC：2012年全球光通信市场产值可达600亿

资策会MIC预估，2009年全球光通信设备及组件市场产值将达500亿美元，至2012年将达到600亿美元的规模，未来三年的稳定成长动能，也将持续带动光通信设备、光通信组件、半导体等产业发展。2008年全球光纤家庭及商业用户数将近4,000万户，已有20个国家的渗透率超过1%以上，其中亚洲经济体仍然维持市场的领导地位，使用户数超过3,000万户，北美使用户数则超过400万户，欧洲使...[详细]
半导体资本支出提升后段封测设备业受惠

近期晶圆代工龙头台积电表示，将提高2009年的资本支出，业界认为显示半导体景气已落底，开始为未来景气复苏加紧脚步添购先进制程设备，后段封测设备最先感受到订单回笼，半导体设备业者指出，虽然预测台积电资本支出调高幅度不大，受惠业者不多，不过下半年设备市场可望优于上半年。自第2季以来，设备业者即感受到半导体设备订单较第1季回温，尤其后段检测设备最为明显，但由于美国市场消费力道仍未恢复，...[详细]
涉猎多晶硅遭寒流 300亿投资冲动隐忧

曾令市场无限憧憬多晶硅业务，似乎风光不再。7月6日，川投能源(600674.SH)发布的业绩预减公告即为佐证，“经测算，预计上半年净利润在1.1亿-1.29亿元，同比下降35%-45%。”原因则是川投能源参股企业新光硅业受宏观经济影响，国内外市场需求放缓，价格下降，公司投资收益减少，从而影响净利润。好在暴跌数月的多晶硅价格，似乎开始随着下游的需求转暖而企稳回升。...[详细]
WAPI晋身国际标准　「中国芯」优势何在？

随着WAPI(编按：中国自有WLAN安全性标准)在前不久于日本东京召开的ISO/IECJTC1/SC6全会上，获得包括美、英、法等10余个与会国家成员体一致同意，正式成为无线计算机网络局域网络的国际标准，中国的无线局域网络(WLAN)已掀开一个新的篇章，也标志着中国的WLAN将进入一个快速发展的阶段。识时务者为俊杰，在看到中国的WAPI成为国际标准已毫无悬念的情况下，很多欧美...[详细]
意法半导体和威特合作生产流感检测芯片

为了对抗H1N1新型流感疫情，意法半导体和新加坡公司威特(Veredus)在新加坡合作生产VereFlu检测芯片，能在两小时内检验出流感病人感染哪一类流感病毒。　　这款芯片已经获得新加坡卫生部公共卫生实验室采用，在这段疫情爆发期间，对流感病患进行筛检。　　VereFlu实验室总裁陈淑彬向本地媒体指出，公司预见流感病毒将造成下一波大流行，两年前开发测试多种不同类型的流感病毒芯片。...[详细]
LSI 3ware SATA RAID控制器助力Intel SSD

日前，LSI公司(NYSE:LSI)宣布为其3ware®9650SESATARAID控制卡推出一款新型控制器固件，它可为Intel®X25-EExtremeSATA固态驱动器(SSD)助一臂之力。此次固件升级旨在为服务器、存储系统以及高端工作站中的IntelSSD提供全面支持。IntelX25-EExtreme固态驱动器采用单层单元(S...[详细]
KLA-Tencor ：创新加速

自去年下半年半导体产业陷入低谷时，千方百计削减成本支出似乎成为业内同行们生存的不二法则。然而，对于有远见的公司来说，加大创新和研发的力度则更加“靠谱”。KLA-Tencor借SEMICONWest2009之际推出了两款新型的晶圆缺陷监测系统2835和Puma9550，以及一款新型的电子束再检测系统eDR-5210，以解决3Xnm/2Xnm节点的缺陷问题。“目前业界正在采用更加...[详细]
预计：未来什么样的IC产品将走俏

经历此次金融危机之后,全球半导体业元气大伤。据iSuppli在2008年10月与2009年6月的两次不同时间点的预测相比较,工业几乎倒退了5年。即原先估计在2010年时产业规模达到3000亿美元,如今将修正到2014年左右。连张忠谋坦言未来半导体业的年均增长率为5%-6%。然而在新形势下,哪些IC类产品的前景仍看好？iSuppli作了最新预测;下面有两张2007to2013...[详细]
多晶硅疾进：一个西部城市的千亿宏图

在当地政府的推动下，一个西部新能源基地，正在酝酿。　　地处成都、川南和攀西三大经济区结合部的四川乐山，正试图通过打造三条产业链——太阳能光伏硅材料产业链、电子级硅材料产业链、硅化工循环利用产业链。　　据来自乐山市政府的资料显示，2008年，乐山电子及硅材料产业集群实现主营业务收入69.6亿元，同比增长40%，其中，多晶硅产量1180吨。　　“截至6月底，全市已形成年产多晶...[详细]
DRAM产业2009第二季营收涨幅高达27.1%

根据集邦科技统计，2009年第二季DRAM合约价在减产效应持续发酵，计算机系统厂商在低价持续拉高库存水位下，第二季DRAM合约季均价上涨23%。现货价格亦在减产效应下，供给吃紧，DDR21Gb667MHz现货价格在五月一度上涨至1.27美元。许多市场人士乐观期待DDR21Gb在六月底升至1.5美元。但在五月下旬，传出某DRAM厂商释出低价颗粒到现货市场，而使六月现货价格维持在1.05...[详细]

小广播

热搜元器件