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MMSZ4688-V

产品描述4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小67KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MMSZ4688-V概述

4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

MMSZ4688-V规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PDSO-G2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压4.7 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差4.99%
工作测试电流0.05 mA

MMSZ4688-V文档预览

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MMSZ4687-V ~ MMSZ4717-V
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
4.3 ~ 43 Volts
POWER
500 mWatts
0.154(3.90)
0.141(3.60)
0.110(2.80)
0.098(2.50)
FEATURES
• Planar Die construction
• 500mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.028(0.70)
0.019(0.50)
PRELIMINARY
MECHANICAL DATA
• Case: SOD-123, Molded Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.0003 ounce, 0.0103 gram
0.008(0.20)MAX.
0.071(1.80)
0.055(1.40)
0.053(1.35)
0.037(0.95)
0.005(0.12)MAX.
0.016(0.40)MIN.
1
2
Cathode
Anode
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Maximum Power Dissipation (Notes A) at T
L
=75
O
C
Typical Thermal Resistance
Operating Junction and Storage Temperature Range
Symbol
P
D
R
θJA
R
θJL
T
J
,T
STG
Value
500
340
150
-55 to +150
Units
mW
O
C/W
O
C
NOTES:
A. Mounted FR-5 PCB with minimum recommend pad layout.
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PAGE . 1
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