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MMDT3906TB6

产品描述DUAL PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小125KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MMDT3906TB6概述

DUAL PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR

MMDT3906TB6规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6
针数6
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-F6
元件数量2
端子数量6
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)300 ns
最大开启时间(吨)70 ns

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MMDT3906TB6
DUAL PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
VOLTAGE
FEATURES
• PNP epitaxial silicon, planar design
• Collector-emitter voltage V
CE
= -40V
• Collector current I
C
= -200mA
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
40 Volts
POWER
200 mWatts
SOT-563
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-563, Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Approx. Weight: 0.003gram
• Marking: TS
6
5
4
1
2
3
Fig.53
ABSOLUTE RATINGS
PARAMETER
C ollector - Emi tter Voltage
C ollector - Base Voltage
Emi tter - Base Voltage
C ollector C urrent - C onti nuous
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Value
-40
-40
-5.0
-200
Uni ts
V
V
V
mA
THERMAL CHARACTERISTICS
Parameter
Max Power Dissipation (Note 1)
Thermal Resistance , Junction to Ambient
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
P
TOT
R
θ
JA
T
J
T
STG
Value
200
625
-55 to 150
-55 to 150
Units
mW
O
C/W
O
C
C
O
Note 1: Transistor mounted on FR-4 board
70
x
60
x
1mm.
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