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MMBZ5229AW

产品描述4.3 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小118KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MMBZ5229AW概述

4.3 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

MMBZ5229AW规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压4.3 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差2.09%

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MMBZ5229AW SERIES
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
4.3 to 51 Volts
POWER
200 mWatts
SOT-323
Unit: inch (mm)
FEATURES
• 200mW Power Dissipation
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
.004(.10)MIN.
• Planar Die construction
.087(2.2)
.070(1.8)
.054(1.35)
.045(1.15)
.056(1.40)
.047(1.20)
.006(.15)
.002(.05)
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-323, Molded Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.0048 grams
• Mounting Position: Any
.004(.10)MAX.
.016(.40)
.008(.20)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Power Dissipation @ T
A
= 25
O
C(Note A)
Operating Junction and StorageTemperature Range
Symbol
P
D
T
J
Value
200
-55 to +150
.044(1.1)
.035(0.9)
Units
mW
O
C
NOTES:
A. Mounted on 5.0mm
2
(.013mm thick) land areas.
REV.0.1-NOV.3.2009
.087(2.2)
.078(2.0)
PAGE . 1
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