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MMBD4448

产品描述0.25 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小120KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MMBD4448概述

0.25 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE

0.25 A, 75 V, 硅, 信号二极管

MMBD4448规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.72 V
JESD-30 代码R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流4 A
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.25 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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DATA SHEET
MMBD4148/MMBD4448
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
VOLTAGE
FEATURES
• Fast switching Speed.
• Electrically ldentical to Standerd JEDEC
• High Conductance
• Surface Mount Package ldeally Suited for Automatic lnsertion.
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
100 Volts
POWER
250mWatts
MECHANICAL DATA
Case: SOT-23 plastic case.
Terminals : Solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Standard packaging: 8mm tape
Weight: approximately 0.008g
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
=25°C unless otherwise noted)
PAR AME T E R
Ma rk i ng C o d e
Re ve rs e Vo lta g e
P e a k Re ve rs e Vo lt a g e
RMS Vo lta g e
Ma xi m um D C B lo c k i ng Vo lt a g e
Ma xi m um A ve ra g e F o rwa r d C urr e nt a t Ta = 2 5
O
C
P e a k F o rwa r d S urg e C ur re nt, 1 .0 us
P o we r D i s s i p a t i o n D e ra t e A b o ve 2 5
O
C
S YM B OL
M MB D 4 1 4 8
A2
M MB D 4 4 4 8
A3
75
100
50
75
150
4
250
0 .7 1 5 @ 0 .0 0 1 A
0 .8 5 5 @ 0 .0 1 A
1 .0 @ 0 .0 5 A
1 .2 5 @ 0 .1 5 A
0 .0 2 5 @ 2 0 V
2 .5 @ 7 5 V
1 .5
4 .0
357
- 5 5 to +1 5 0
SINGLE
UNITS
V
R
V
RM
V
RM S
V
DC
I
A V
I
F S M
P
TO T
V
F
V
V
V
V
mA
A
mW
0 .7 2 / 0 .0 0 5 A
1 .0 / 0 .1 A
Ma xi m um F o rwa r d Vo lta g e
V
Ma xi m um D C Re ve rs e C urr e nt a t Ra te d D C B lo c k i ng Vo lta g e
T
J
= 2 5
O
C
J unc t i o n C a p a c i t a nc e ( No t e s 1 )
Ma xi m um Re ve r s e Re c o ve r y (No te s 2 )
Typ i c a l The r ma l Re s i s ta nc e
S to r a g e Te mp e ra tur e Ra ng e
I
R
CJ
T
RR
R J A
T
J
2 .5 @ 7 5 V
4 .0
4 .0
O
uA
pF
ns
C / W
O
C
NOTE:
1. CJ at V
R
=0, f=1MHZ
2.From I
F
=10mA to I
R
=1mA, V
R
=6Volts, R
L
=100
REV.0.2-AUG.21.2009
PAGE . 1
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