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MMBD4448TW

产品描述0.15 A, 100 V, 3 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小133KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MMBD4448TW概述

0.15 A, 100 V, 3 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

MMBD4448TW规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6
针数6
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 3 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量3
端子数量6
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.15 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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MMBD4448TW
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
VOLTAGE
FEATURES
• Fast switching Speed
• Electrically ldentical to Standerd JEDEC
• High Conductance
• Surface Mount Package ldeally Suited for Automatic lnsertion
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
100 Volts
POWER
200mWatts
MECHANICAL DATA
PRELIMINARY
Case: SOT-363 plastic case.
Terminals : Solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Standard packaging: 8mm tape
Weight: approximately 0.006 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
=25°C unless otherwise noted)
PA RA M E TE R
R e ve r s e V o l t a g e
P e a k R e ve r s e V o l t a g e
RMS Vo lta g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt a t T
A
= 2 5
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt , 1 . 0 us
P o w e r D i s s i p a t i o n D e r a t e A b o ve 2 5
O
C
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt a t R a t e d D C
B l o c k i ng V o l t a g e T
J
= 2 5
O
C
J unc t i o n C a p a c i t a nc e ( N o t e 1 )
M a xi m um R e ve r s e R e c o ve r y ( N o t e 2 )
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e
S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L
V
R
V
RM
V
RM S
V
DC
I
I
AV
FSM
M M B D 4 4 4 8 TW
75
100
50
75
150
4
200
0 .7 2 / 0 .0 0 5 A
1 .0 / 0 .1 A
2 .5 @7 5 V
4 .0
4 .0
625
-5 5 to +1 5 0
U N IT S
V
V
V
V
mA
A
mW
V
µ
A
pF
ns
O
P
D
V
F
I
R
C
J
T
RR
J A
T
J
C / W
O
C
NOTE:
1. CJ at V
R
=0, f=1MHZ
2. From I
F
=10mA to I
R
=1mA, V
R
=6Volts, R
L
=100Ω
REV.0.0-MAR.26.2009
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