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MBR6045ST

产品描述肖特基二极管
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小50KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR6045ST概述

肖特基二极管

功能特点

产品名称:肖特基二极管


产品型号:MBR6045ST


参数:


重复反向电压峰值Vrrm:45V


最大平均整流电流Io:60A


最大前向浪涌电流I FSM:400A


正向压降VF:0.7V 当IF=30A时


最大反馈电流IR:50uA 当VR=45V


封装:TO-3PS/TO-247S


MBR6045ST规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码TO-247
包装说明R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流400 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流60 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压45 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

MBR6045ST文档预览

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MBR6040ST SERIES
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
40 to 100 Volts
CURRENT
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
0.516(13.20)
0.504(12.80)
60 Amperes
0.615(15.60)MAX.
0.520(13.20)
0.504(12.80)
0.402(10.20)
0.385(9.80)
0.185(4.70)
0.169(4.30)
• Metal silicon junction, majority carrier conduction
• Low power loss, high efficiency.
• High current capability
• Guardring for overvoltage protection
• For use in low voltage,high frequency inverters
free wheeling , and polarlity protection applications.
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.118(3.0)
MIN.
0.599(15.20)
0.582(14.80)
0.577(14.65)
0.565(14.35)
0.776(19.70)
0.759(19.30)
0.732(18.58)
0.715(18.18)
0.071(1.80)
0.055(1.40)
0.095(2.40)
0.078(2.00)
0.050(1.25)
0.037(0.95)
0.166(4.20)
0.149(3.80)
0.579(14.70)
0.563(14.30)
0.103(2.60)
0.090(2.30)
MECHANICAL DATA
• Case: TO-247S / TO-3PS molded plastic
• Terminals: solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.1932 ounces, 5.4803 grams.
0.223(5.65)
0.206(5.25)
0.223(5.65)
0.206(5.25)
0.025(0.62)
0.014(0.38)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA M E TE R
M a xi m um Re c urr e nt P e a k Re ve rs e Vo lta g e
M a xi m um RM S Vo lta g e
M a xi m um D C B lo c k i ng Vo lta g e
M a xi m um A ve ra g e F o rwa r d C ur re nt
P e a k F o r wa r d S ur g e C urr e nt : 8 .3 m s s i ng le
ha lf s i ne - wa ve s up e r i m p o s e d o n ra te d lo a d
(J E D E C me tho d )
M a xi m um F o rwa rd Vo lta g e a t 3 0 A p e r le g
M a xi m um D C Re ve rs e C ur re nt a t
Ra te d D C B lo c k i ng Vo lta g e
Typ i c a l The r m a l Re s i s ta nc e
Op e r a ti ng J unc ti o n a nd S to r a g e Te m p e r a tur e
Ra ng e
T
J
=2 5
O
C
T
J
=1 0 0
O
C
S YM B O L
M B R6 0 4 0 S T M B R6 0 4 5 S T M B R6 0 8 0 S T M B R6 0 9 0 S T M B R6 0 1 0 0 S T
UNITS
V
RRM
V
RM S
V
DC
I
F ( AV )
I
F S M
V
F
I
R
R
θ
JC
T
J
,T
S TG
- 5 5 to + 1 5 0
40
28
40
45
3 1 .5
45
80
56
80
60
90
63
90
100
70
100
V
V
V
A
400
A
0 .7
0 .1
20
1 .5
0 .8
0 .0 5
20
O
V
mA
C / W
O
-65 to +175
C
Note :
Both Bonding and Chip structure are available.
December 5,2011-REV.05
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