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MBR5200

产品描述肖特基二极管
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小103KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR5200概述

肖特基二极管

功能特点

产品名称:肖特基二极管


产品型号:MBR5200


参数:


重复反向电压峰值Vrrm:200V


最大平均整流电流Io:5A


最大前向浪涌电流I FSM:150A


正向压降VF:0.9V 当IF=5A时


最大反馈电流IR:50uA 当VR=200V


封装:DO-201AD


MBR5200规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-201AD
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

MBR5200文档预览

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MBR540 SERIES
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Epitaxial Construction
• Guard Ring Die Construction for Transient Protection
• Low Power Loss, High Efficiency
• High Surge Capability
• High Current Capability and Low Forward Voltage Drop
• Surge Overload Rating to 150A Peak
• For Use in Low Voltage,High Frequency Inverters ,Free Wheeling ,
and Polarity Protection Applications .
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.375(9.5)
0.285(7.2)
1.0(25.4)MIN.
0.052(1.3)
0.048(1.2)
40 to 200 Volts
CURRENT
5 Amperes
• Case: DO-201AD Molded plastic
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: Color band denotes cathode
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0395 ounces, 1.122 grams
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
PA RA ME TE R
Ma xi mum Re c ur re nt P e a k Re ve r se Vo ltag e
Ma xi mum RMS Vo lta g e
Ma xi mum D C B lo c ki ng Vo lta g e
A ve ra g e Re cti fi e d Outp ut C ur re nt (S e e F i g ur e 1 )
Non-Rep e ti ti ve P e a k F o rwa rd S urg e C urre nt : 8 .3 ms s i ngle
ha lf s i ne - wa ve s up e ri mpo s e d o n ra te d lo a d
F o rwa rd Vo lta g e a t 5 .0 A (No te s 3 )
P ea k Re ve rs e C ur re nt a t Ra te d D C B lo ck i ng
Vo lta g e
Typ i ca l The rma l Re s i sta nc e (No te s 2 )
( No te s 1 )
( No te s 1 )
Op e ra ti ng J unc ti o n a nd S to ra g e Te mp e r ature Ra ng e
T
J
=2 5
O
C
T
J
=1 0 0
O
C
S YMB OL
V
RR M
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
R
θJ
A
R
θJ
L
R
θ
JC
T
J
,T
S TG
1.0(25.4)MIN.
MECHANICAL DATA
0.210(5.3)
0.188(4.8)
M B R54 0
MB R5 4 5 M B R55 0 MB R5 60 MB R5 8 0 MB R5 90 MB R5 1 00 MB R5 1 5 0 M B R5 2 0 0
UNITS
V
V
V
A
A
40
28
40
45
3 1 .5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
5 .0
150
90
63
90
1 00
70
1 00
150
105
150
200
1 40
200
0 .7 0
0 .7 4
0 .0 5
10
50
15
12
0 .8 0
0.9
V
mA
O
C / W
-5 5 to +15 0
- 6 5 to +1 5 0
O
C
NOTES:
1. Measured at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case
2. Minimum Pad Area
3. Pulse test : 300μs pulse width, 1% duty cycle
August 17,2010-REV.01
PAGE . 1
2013年全国大学生电子设计竞赛专科组题目(官网下载的)
各位参赛者: 附官网下载的2013年全国大学生电子设计竞赛专科组题目J、K、L题。 是从“陕西赛区组委会指定网站:http://nuedc.xidian.edu.cn/ ”下载的,各赛区组委会指定 ......
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