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MBR3030ST

产品描述肖特基二极管
产品类别分立半导体   
文件大小47KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR3030ST概述

肖特基二极管

功能特点

产品名称:肖特基二极管


产品型号:MBR3030ST


参数:


重复反向电压峰值Vrrm:30V


最大平均整流电流Io:30A


最大前向浪涌电流I FSM:275A


正向压降VF:0.7V 当IF=15A时


最大反馈电流IR:50uA 当VR=30V


封装:TO-3PS/TO-247S


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MBR3020ST SERIES
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
20 to 100 Volts
CURRENT
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
0.577(14.65)
0.565(14.35)
0.776(19.70)
0.759(19.30)
0.732(18.58)
0.715(18.18)
30 Amperes
0.615(15.60)MAX.
0.520(13.20)
0.504(12.80)
0.402(10.20)
0.385(9.80)
0.185(4.70)
0.169(4.30)
0.516(13.20)
0.504(12.80)
• Metal silicon junction, majority carrier conduction
• Low power loss, high efficiency.
• High current capability
• Guardring for overvoltage protection
• For use in low voltage,high frequency inverters
free wheeling , and polarlity protection applications.
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.118(3.0)
MIN.
0.599(15.20)
0.582(14.80)
MECHANICAL DATA
• Case: TO-247S/TO3PS molded plastic
• Terminals: solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.1932 ounces, 5.4803 grams.
0.071(1.80)
0.055(1.40)
0.095(2.40)
0.078(2.00)
0.050(1.25)
0.037(0.95)
0.166(4.20)
0.149(3.80)
0.579(14.70)
0.563(14.30)
0.103(2.60)
0.090(2.30)
0.025(0.62)
0.014(0.38)
0.223(5.65)
0.206(5.25)
0.223(5.65)
0.206(5.25)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA ME TE R
Maxi mum Rec urre nt P e ak Re vers e Volta ge
Maxi mum RMS Volta ge
Maxi mum D C B lo cki ng Voltage
Maxi mum A verag e Fo rwa rd C urre nt
P e ak F orward S urg e C urrent :8 .3ms si ngle
ha lf s i ne -wa ve sup eri mp ose d on ra ted lo ad
(J E D E C metho d)
Maxi mum F orwa rd Volta ge a t 1 5A p er leg
Maxi mum D C Re verse C urre nt at
Ra ted D C B lo cki ng Volta ge
Typi ca l The rma l Res i stance
Ope rati ng Juncti o n a nd S tora ge Te mp era ture
Ra ng e
T
J
=25
O
C
T
J
=12 5
O
C
S YMB OL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV )
I
FS M
V
F
I
R
R
J
C
T
J
,T
S TG
MB R30 2 0S T MB R3 0 30 S T MB R3 0 40 S T MB R3 04 5 S T MB R30 5 0S T MB R3 0 60 S T MB R3 08 0 S T MB R30 9 0S T MB R30 1 00 S T
UNITS
V
V
V
A
20
14
20
30
21
30
40
28
40
45
3 1.5
45
50
35
50
30
60
42
60
80
56
80
90
63
90
100
70
100
27 5
A
0 .70
0.1
20
1 .4
-5 5 to + 15 0
0.7 5
0 .8
0.05
20
V
mA
O
C /
W
C
-6 5 to + 17 5
O
Note :
Both Bonding and Chip structure are available.
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PAGE . 1
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