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MBR3040FCT

产品描述肖特基二极管
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小45KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档 详细参数 全文预览

MBR3040FCT概述

肖特基二极管

功能特点

产品名称:肖特基二极管


产品型号:MBR3040FCT


参数:


重复反向电压峰值Vrrm:40V


最大平均整流电流Io:30A


最大前向浪涌电流I FSM:275A


正向压降VF:0.7V 当IF=15A时


最大反馈电流IR:50uA 当VR=40V


封装:ITO-220AB


MBR3040FCT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码TO-220AB
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流275 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流30 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压40 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

MBR3040FCT文档预览

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MBR3040FCT SERIES
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
0.112(2.85)
0.100(2.55)
40 to 200 Volts
CURRENT
30 Amperes
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Metal silicon junction, majority carrier conduction
• Low power loss, high efficiency.
• High current capability
• Guardring for overvoltage protection
• For use in low voltage,high frequency inverters
free wheeling , and polarlity protection applications.
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
0.272(6.9)
0.248(6.3)
• Plastic package has Underwriters Laboratory
0.406(10.3)
0.381(9.7)
0.134(3.4)
0.118(3.0)
0.189(4.8)
0.165(4.2)
0.130(3.3)
0.114(2.9)
0.606(15.4)
0.583(14.8)
MECHANICAL DATA
• Case: ITO-220AB molded plastic
• Terminals: solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.055 ounces, 1.5615 grams.
0.055(1.4)
0.039(1.0)
0.055(1.4)
0.039(1.0)
0.028(0.7)
0.019(0.5)
0.100(2.55)
0.177(4.5)
0.137(3.5)
0.543(13.8)
0.512(13.0)
0.114(2.9)
0.098(2.5)
0.100(2.55)
0.027(0.67)
0.022(0.57)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PARAME TE R
Maxi mum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maxi mum RMS Voltage
Maxi mum D C Blocki ng Voltage
Maxi mum Average Forward C urrent
Peak F orward S urge C urrent :8.3ms si ngle
half si ne-wave superi mposed on rated load
(JED E C method)
Maxi mum Forward Voltage at 15A per leg
Maxi mum D C Reverse C urrent
at Rated D C Blocki ng Voltage
Typi cal Thermal Resi stance
Operati ng Juncti on and
StorageTemperature Range
T
J
=25
O
C
T
J
=125
O
C
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F SM
V
F
I
R
R
JC
T
J
,T
S TG
MBR3 04 0F C T MB R30 45 FC T MB R3 05 0F C T MB R3 06 0F C T MB R3 08 0F C T MB R30 90 FC T MB R30 10 0F C T MB R30 15 0F C T MBR3 02 00 FC T
UNITS
V
V
V
A
40
28
40
45
31.5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
30
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
275
A
0.7
0.75
0.1
20
1.4
0.8
0.05
20
0.9
V
mA
O
C /W
O
-5 5 to + 15 0
-65 to + 175
C
Note :
Both Bonding and Chip structure are available.
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