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MBR1100

产品描述肖特基二极管
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小49KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR1100概述

肖特基二极管

1 A, 100 V, 硅, 信号二极管, DO-41

功能特点

产品名称:肖特基二极管


产品型号:MBR1100


参数:


重复反向电压峰值Vrrm:100V


最大平均整流电流Io:1A


最大前向浪涌电流I FSM:30A


正向压降VF:0.8V 当IF=1A时


最大反馈电流IR:50uA 当VR=100V


封装:DO-41


MBR1100规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码DO-41
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

MBR1100文档预览

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MBR140~MBR1200
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
1.0(25.4)MIN.
40 to 200 Volts
CURRENT
1.0 Amperes
DO-41
Unit: inch(mm)
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• For use in low voltage,high frequency inverters ,free wheeling ,
and polarity protection applications .
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
.034(.86)
.028(.71)
MECHANICALDATA
• Case: DO-41 Molded plastic
1.0(25.4)MIN.
.107(2.7)
.080(2.0)
• Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: Color band denotes cathode
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0118 ounces, 0.336 grams
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
PARAMETER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified Current .375"(9.5mm)
lead length ( S e e F i g u r e 1 )
Peak Forward Surge Current : 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load(JEDEC method)
Maximum Forward Voltage at 1.0A
Maximum DC Reverse Current T
J
=25
O
C
at Rated DC Blocking Voltage T
J
=100
O
C
Typical Thermal Resistance
Operating Junction and Storage Temperature Rang
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
R
θ
JA
T
J
,T
STG
.205(5.2)
.160(4.1)
MBR140
MBR145 MBR150 MBR160 MBR180 MBR190 MBR1100 MBR1150 MBR1200
UNITS
V
V
V
A
A
40
28
40
45
31.5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
1.0
30
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
0.7
0.74
0.05
10
50
0.8
0.9
V
mA
O
C/W
O
-55 to +150
-65 to +175
C
STAD-DEC.24.2007
PAGE . 1
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