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MBR10100CT

产品描述肖特基二极管
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小84KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR10100CT概述

肖特基二极管

10 A, 100 V, 硅, 整流二极管, TO-220AB

功能特点

产品名称:肖特基二极管


产品型号:MBR10100CT


参数:


重复反向电压峰值Vrrm:100V


最大平均整流电流Io:10A


最大前向浪涌电流I FSM:150A


正向压降VF:0.8V 当IF=5A时


最大反馈电流IR:50uA 当VR=100V


封装:TO-220AB


MBR10100CT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码TO-220AB
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

MBR10100CT文档预览

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MBR1040CT~MBR10200CT
10 AMPERES SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Metal silicon junction, majority carrier conduction
• Low power loss, high efficiency.
• High current capability
• Guardring for overvlotage protection
• For use in low voltage,high frequency inverters
free wheeling , and polarlity protection applications.
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
.058(1.47)
.042(1.07)
40 to 200 Volts
CURRENT
10 Amperes
MECHANICALDATA
• Case: TO-220AB molded plastic
• Terminals: solder plated, solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0655 ounces, 1.859 grams.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt ( S e e
fi g .1 )
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e
ha l f s i ne - w a ve s up e r i m p o s e d o n r a t e d
l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 5 A , p e r l e g
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt T
J
= 2 5
O
C
a t R a t e d D C B l o c k i ng V o l t a g e T
J
= 1 2 5
O
C
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e
O p e r a t i ng a nd S t o r a g e J unc t i o n
Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
MB R1 0 4 0 C T MB R1 0 4 5 C T MB R1 0 5 0 C T MB R1 0 6 0 C T MB R1 0 8 0 C T MB R1 0 9 0 C T MB R1 0 1 0 0 C T MB R1 0 1 5 0 C T MB R1 0 2 0 0 C T
U N IT S
V
V
V
A
40
28
40
45
3 1 .5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
10
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
I
F S M
150
A
V
F
0 .7
0 .7 5
0 .0 5
20
2
0 .8
0.9
V
I
R
mA
O
R
θ
J C
T
J
, T
S TG
-5 5 to + 1 5 0
C /
W
C
-6 5 to + 1 7 5
O
Notes :
Both Bonding and Chip structure are available.
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