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LS914

产品描述0.075 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小82KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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LS914概述

0.075 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE

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LS914
SWITCHING DIODES
VOLTAGE
100 Volts
POWER
500 mWatts
QUADRO-MELF
Unit : inch (mm)
FEATURES
• Fast switching Speed.
• Electrically ldentical to Standerd JEDEC
• High Conductance
• Axial lead Package ldeally Suited for Automatic lnsertion.
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
.0
67
(1
.7
)
MECHANICAL DATA
• Case: Molded GlassQUADRD MELF
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.030 grams
• Mounting Position: Any
• Packing information
T/R - 10K per 13" plastic Reel
T/R - 2.5K per 7" plastic Reel
.020(0.5)
.012(0.3)
.146(3.7)
.130(3.3)
.020(0.5)
.012(0.3)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Reverse Voltage
Peak Reverse Voltage
RMS Voltage
Maximum Average Forward Current at T
A
=25
O
C And f > 50Hz
Surge Forward Current at t < 1s and T
J
=25
Power Dissipation at Tamb= 25
O
O
SYMBOL
V
R
V
R M
V
R M S
I
F (A V )
I
F S M
P
T O T
V
F
LS 914
75
100
50
75
500
500
1.0
25
5
50
4
4
350
-65 to +175
.063(1.6)
.055(1.4)DIA.
UNITS
V
V
V
mA
mA
mW
V
nA
µA
µA
pF
ns
O
C
C
Maximum Forward Voltage at I
F
=10mA
Maximum Leakage Current
at V
R
=20V
at V
R
=75V
at V
R
=20V ,T
J
= 150
O
C
Maximum Capacitance (Note 1)
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)
Typical Thermal Resistance
Junction Temperature and Storage Temperature Range
I
R
C
J
t
rr
R
θ
J A
T
J
,T
s
C/W
O
C
NOTE:
1. CJ at V
R
=0, f=1MHZ
2. From I
F
=10mA to I
R
=1mA, V
R
=6Volts, R
L
=100Ω
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