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LQSD103A

产品描述0.35 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小80KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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LQSD103A概述

0.35 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE

LQSD103A规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码MELF
包装说明O-LELF-R2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.37 V
JESD-30 代码O-LELF-R2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流0.35 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.4 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压40 V
最大反向恢复时间0.01 µs
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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LQSD103A~LQSD103C
SMALL SIGNAL SCHOTTKY BARRIES SWITCHING DIODES
VOLTAGE
20 to 40 Volts
CURRENT
0.35 Amperes
QUADRO-MELF
Unit : inch (mm)
FEATURES
• Low Forward Voltage Drop
• Guard Ring Construction for Transient Protection
• Low Reverse Recovery Time
• Low Reverse Capacitance
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
.0
67
(1
.7
)
MECHANICAL DATA
Case: Molded Glass QUADRO MELF
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity: See Diagram Below
Approx. Weight: 0.03 grams
.020(0.5)
.012(0.3)
.146(3.7)
.130(3.3)
.020(0.5)
.012(0.3)
• Mounting Position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
J
=25°C unless otherwise noted)
PA RA M E TE R
P e a k R e p e t i t i ve R e ve r s e V o l t a g e
R M S R e ve r s e V o l t a g e
M a x. A ve r a g e R e c t i f i e d C ur r e nt
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt , t < 0 . 3 m s
P o w e r D i s s i p a t i o n D e r a t e A b o ve 2 5
O
C
M a x i m u m F o r w a r d V o l t a g e , I
F
= 2 0 m A
I
F
= 2 0 0 m A
M a xi m um R e ve r s e C ur r e nt
Ty p i c a l J u n c t i o n C a p a c i t a n c e ( N o t e 1 )
Ty p i c a l R e v e r s e R e c o v e r y ( N o t e 2 )
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e
S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L
V
RRM
V
RMS
I
F ( A V )
I
F S M
P
D
V
F
I
R
C
J
t
rr
R
θ
J A
T
S T G
L QS D 1 0 3 A
40
28
L QS D 1 0 3 B
30
21
350
15
400
0 .3 7
0 .7 0
L QS D 1 0 3 C
20
14
.063(1.6)
.055(1.4)DIA.
U N IT S
V
V
mA
A
mW
V
5@30V
5@20V
50
10
250
-6 5 to +1 7 5
5@10V
µ
A
pF
ns
O
C / W
O
C
NOTE:
1. CJ at V
R
=0, f=1MHZ
2. From I
F
=50mA to I
R
=200mA, R
L
=100Ω
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PAGE . 1
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