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ES1BW

产品描述1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小84KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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ES1BW概述

1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC

ES1BW规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码DO-214AC
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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ES1AW~ES1GW
SURFACE MOUNT SUPERFAST RECTIFIER
CURRENT
1.0 Amperes
VOLTAGE
50 to 400 Volts
FEATURES
For surface mounted applications
Low profile package
Built-in strain relief
Easy pick and place
Superfast recovery times for high efficiency
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• Glass passivated junction
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-214AC molded plastic
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity: Indicated by cathode band
Standard packaging: 12mm tape (EIA-481)
Weight: 0.0023 ounce, 0.0679 gram
.188(4.80)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PA RA ME TE R
Ma xi mum Re c urre nt P e a k Re ve rs e Vo lta g e
Ma xi mum RM S Vo lta g e
Ma xi mum D C B lo c k i ng Vo lta g e
Ma xi mum A ve ra g e F o rwa rd C urre nt a t T
L
=1 0 5
O
C
P e a k F o rwa rd S urg e C urre nt : 8 .3 ms s i ng le ha lf s i ne -wa ve
s up e ri mp o s e d o n ra te d lo a d (J E D E C m e tho d )
Ma xi mum F o rwa rd Vo lta g e a t 1 .0 A
Ma xi mum D C Re ve rs e C urre nt a t Ra te d D C
B lo c k i ng Vo lta g e
Ma xi mum Re ve rs e Re c o ve ry Ti me (No te 1 )
Typ i c a l J unc ti o n c a p a c i ta nc e (No te 2 )
Typ i c a l The rm a l Re s i s ta nc e (No te 3 )
Op e ra ti ng J unc ti o n a nd S to ra g e Te m p e ra ture Ra ng e
T
J
= 2 5
O
C
T
J
=1 0 0
O
C
S YM B OL E S 1 AW
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F (AV )
I
F S M
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θJ
L
T
J
,T
S TG
50
35
50
E S 1 B W E S 1 C W E S 1 D W E S 1 E W E S 1 GW UNITS
100
70
100
150
105
150
1 .0
30
0 .9 5
1 .0
10
30
7 .0
35
-5 5 to + 1 5 0
O
200
140
200
300
210
300
400
280
400
V
V
V
A
A
1 .2 5
V
μA
ns
pF
C / W
O
C
NOTES:
1.Reverse Recovery Tset Conditions:I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,Irr=0.25A
2.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.
3.8.0mm
2
( .013mm thick ) land areas.
June 10,2010-REV.01
PAGE . 1
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