Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> ER2J

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ER2J: 产品描述2 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小101KB，共2页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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ER2J概述

2 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA

ER2J规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
零件包装代码	DO-214AA
包装说明	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
针数	2
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
其他特性	METALLURGICALLY BONDED
应用	GENERAL PURPOSE
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.7 V
JEDEC-95代码	DO-214AA
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流	50 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
最大输出电流	2 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	600 V
最大反向恢复时间	0.035 µs
表面贴装	YES
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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FEATURES

GALAXY ELECTRICAL

SM4933

- - -

SM4937

VOLTAGE RANGE: 50 --- 600 V

CURRENT: 1.0 A

DO-213AB

SURFACE MOUNT RECTIFIER

◇

Glass passivated device

◇

Ideal for surface mounted applications

◇

Low leakage

◇

Low forward voltage drop

◇

High current capability

◇

Easily cleaned with Alcohol,Isopropnol

and similar solvents

◇

The plastic material carries U/L

recognition 94V-0

MECHANICAL DATA

◇

Case: JEDEC DO-213AB,molded plastic

◇

Terminals: Solderable per MIL- STD-202,

Method 208

◇

Polarity: Color band denotes cathode

◇

Weight: 0.0046 ounces, 0.116 grams

◇

Mounting position: Any

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate current by 20%.

SM4933 SM4934 SM4935 SM4936 SM4937

Maximum recurrent peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified current

=55℃

Peak forward surge current

8.3ms single half-sine-wave

superimposed on rated load

Maximum instantaneous forward voltage

@1.0A

Maximum reverse current

=25℃

at rated DC blocking voltage @T

=125℃

Maximum reverse recovery time (Note1)

Typical junction capacitance (Note2)

Maximum thermal resistance (Note3)

Maximum thermal resistance (Note4)

Operating junction temperature range

Storage temperature range

NOTE: 1. Test conditions:I

=1.0A,V

=30V.

2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.

3. Thermal resistance junction to terminal 6.0mm

copper pads to each terminal.

4. Thermal resistance junction to ambient 6.0mm

copper pads to each terminal.

UNITS

RRM

RMS

(AV)

100

200

140

200

1.0

400

280

400

600

420

600

FSM

θJL

θJA

STG

1.2

5.0

100

200

-55 --- + 150

µA

℃/W

℃

www.galaxycn.com

Document Number 0280087

GALAXY ELECTRICAL

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