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ER2002FCT

产品描述20 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小87KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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ER2002FCT概述

20 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

ER2002FCT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码TO-220AB
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流20 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

ER2002FCT文档预览

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ER2000FCT~ER2006FCT
ISOLATION SUPERFAST RECOVERY RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forwrd voltge, high current capability
• High surge capacity.
• Super fast recovery times, high voltage.
• Epitaxial chip construction.
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
50 to 600 Volts
CURRENT
20 Amperes
MECHANICALDATA
• Case: ITO-220AB Molded plastic
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Standard packaging: Any
• Weight: 0.55 ounces, 1.56 grams.
.027(.67)
.022(.57)
MAXIMUM RATING AND ELECTRICAL CHARACTERISTICSS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PARAMETER
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward Current at Tc=100
o
C
Peak Forward Surge Current : 8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load(JEDEC method)
Maximum Forward Voltage at 10A
Maximum DC Reverse Current T
J
=25
O
C
at Rated DC Blocking VoltageT
J
=100
O
C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 2)
Typical Junction capacitance (Note 1)
Typical thermal Resistance (Note 3)
Operating Junction and Storage Temperature Range
SYMBOL
ER2000FCT ER2001FCT ER2001AFCT ER2002FCT ER2003FCT ER2004FCT ER2006FCT
UNITS
V
R R M
V
R M S
V
D C
I
F (A V )
I
F S M
V
F
I
R
0.95
1
500
35
85
3.0
-50 to +150
O
50
35
50
100
70
100
150
105
150
200
140
200
20
150
300
210
300
400
280
400
600
420
600
V
V
V
A
A
1.3
1.7
V
µA
t
rr
C
J
R
θ
J c
T
J
,T
S T G
50
ns
pF
C/W
O
C
NOTES:
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.
2. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=.5A, I
R
=1A, Irr=.25A.
3. Both Bonding and Chip structure are available.
STAD-JUN.05.2009
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