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ER2A

产品描述2 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小101KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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ER2A概述

2 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA

ER2A规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码DO-214AA
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性METALLURGICALLY BONDED
应用GENERAL PURPOSE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
SM4933
- - -
SM4937
VOLTAGE RANGE: 50 --- 600 V
CURRENT: 1.0 A
DO-213AB
SURFACE MOUNT RECTIFIER
Glass passivated device
Ideal for surface mounted applications
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Easily cleaned with Alcohol,Isopropnol
and similar solvents
The plastic material carries U/L
recognition 94V-0
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-213AB,molded plastic
Terminals: Solderable per MIL- STD-202,
Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.0046 ounces, 0.116 grams
Mounting position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate current by 20%.
SM4933 SM4934 SM4935 SM4936 SM4937
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
@T
A
=55℃
Peak forward surge current
8.3ms single half-sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage
@1.0A
Maximum reverse current
@T
A
=25℃
at rated DC blocking voltage @T
A
=125℃
Maximum reverse recovery time (Note1)
Typical junction capacitance (Note2)
Maximum thermal resistance (Note3)
Maximum thermal resistance (Note4)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE: 1. Test conditions:I
F
=1.0A,V
R
=30V.
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3. Thermal resistance junction to terminal 6.0mm
2
copper pads to each terminal.
4. Thermal resistance junction to ambient 6.0mm
2
copper pads to each terminal.
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
50
35
50
100
70
100
200
140
200
1.0
400
280
400
600
420
600
I
FSM
30
A
V
F
I
R
t
rr
C
j
R
θJL
R
θJA
T
j
T
STG
1.2
5.0
100
200
15
30
75
-55 --- + 150
-55 --- + 150
V
µA
ns
pF
℃/W
℃/W
www.galaxycn.com
Document Number 0280087
BL
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