电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

ER1D

产品描述1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小103KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

下载文档 在线购买 详细参数 全文预览

ER1D在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
ER1D - - 点击查看 点击购买

ER1D概述

1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA

ER1D规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码DO-214AA
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
针数2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

ER1D文档预览

下载PDF文档
ER1A~ER1J
SURFACE MOUNT SUPERFAST RECTIFIER
CURRENT
1.0 Amperes
VOLTAGE
50 to 600 Volts
FEATURES
For surface mounted applications
Low profile package
Built-in strain relief
Easy pick and place
Superfast recovery times for high efficiency.
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• Glass passivated junction
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-214AA molded plastic
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Polarity: Indicated by cathode band
Standard packaging: 12mm tape (EIA-481)
Weight: 0.0032 ounce, 0.092 gram
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt a t T
L
= 1 0 0
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne - w a ve
s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 1 . 0 A
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt T
J
= 2 5
O
C
a t R a t e d D C B l o c k i ng Vo l t a g e T
J
= 1 0 0
O
C
M a x i m u m R e v e r s e R e c o v e r y Ti m e ( N O T E 1 )
Ty p i c a l J u n c t i o n c a p a c i t a n c e ( N o t e 2 )
M a xi m um The r m a l R e s i s t a nc e ( N o t e 3 )
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L E R 1 A E R 1 B E R 1 C E R 1 D E R 1 E E R 1 G E R 1 J U N I T S
V
RRM
V
RMS
V
D C
I
F ( A V )
I
F S M
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
J L
T
J
, T
S T G
0 .9 5
1 .0
150
35
1 0 .0
O
50
35
50
100
70
100
150
105
150
200
140
200
1 .0
30
300
210
300
400
280
400
600
420
600
V
V
V
A
A
1 .2 5
1 .7
V
µ
A
ns
pF
C /
W
C
34
-5 5 to +1 5 0
O
NOTES:
1.Reverse Recovery Tset Conditions:I
F
=0.5A,I
R
=1.0A,Irr=0.25A
2.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.
3.8.0mm
2
( .013mm thick ) land areas.
STAD-MAR.06.2009
PAGE . 1
NIOS II完全教程
28790...
number007cool FPGA/CPLD
毕业设计在即 请大家认真对待
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 09:21 编辑 又是到递交毕业论文的时候了,现在在学校中有着非常不良的现象.同学们基本属于蒙混过关,这样,对自己未来的发展能有什么好处呢?或者来论坛的也是诸 ......
呱呱 电子竞赛
请大家推荐一本好书,讲多层板设计的
最近要布个8层板,请大家推荐一本好书参考 最好实际的例子多一点,详细一点,谢谢~~...
bulengzhanglang 嵌入式系统
mbed定义问题
如下图,请问这个LED1是在那定义的?我如果在板子上接出一个IO引脚的话也通过相同的方式定义吧 228835 ...
lidonglei1 stm32/stm8
基于MF RC522的Mifare射频卡读写模块开发
主要介绍一种基于 Philips公司的 MF RC522的射频识别读写模块的设计:首先介绍系统的组成以及MF RC522的特性,接着给出天线的设计规范,最后给出MCU LPC2132与MF RC522的接口原理图和对Mifare卡 ......
tiamxiaxing 微控制器 MCU
步进电机M35SP-7NP的使用
M35SP-7NP,这种步进电机怎么用啊? 今天搞了好久都没有转起来,只稍微的动一下。 用单片机带动的!...
spy231 嵌入式系统
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved