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ER1604DY

产品描述16 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小89KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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ER1604DY概述

16 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB

ER1604DY规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码D2PAK
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3
针数4
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流300 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流16 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

ER1604DY文档预览

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ER1604DY
ISOLATION SUPERFAST RECOVERY RECTIFIER
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O.
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Low power loss, high efficiency.
• Low forwrd voltge, high current capability
• High surge capacity.
• Super fast recovery times, high voltage.
• Epitaxial chip construction.
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
400 Volts
CURRENT
16.0 Amperes
MECHANICAL DATA
• Case: TO-263/D
2
PAK Molded plastic package
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: As marked.
• Standard packaging: Any
• Weight: 0.0514 ounces, 1.46 grams.
MAXIMUM RATING AND ELECTRICAL CHARACTERISTICSS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA M E TE R
Ma xi m um Re c ur re nt P e a k Re ve r s e Vo lta g e
Ma xi m um RMS Vo lt a g e
Ma xi m um D C B lo c k i ng Vo lt a g e
Ma xi m um A ve r a g e F o rwa rd C urr e nt a t T
C
= 1 0 0
O
C
P e a k F o rwa r d S ur g e C urr e nt , 8 .3 m s s i ng le ha lf s i ne -wa ve
s up e ri mp o s e d o n ra t e d lo a d
Ma xi m um F o r wa rd Vo lt a g e a t 1 6 A
Ma xi m um D C Re ve r s e C ur re nt a t Ra t e d D C B lo c k i ng
Vo lt a g e
Ma xi m um Re ve r s e Re c o ve ry Ti me (No te 2 )
Typ i c a l J unc t i o n C a p a c i t a nc e (No t e 1 )
Typ i c a l The r ma l Re s i s t a nc e
Op e r a ti ng a nd S t o ra g e Te mp e r a tur e Ra ng e
T
J
= 2 5
O
C
T
J
= 1 0 0
O
C
S YMB OL
V
RRM
V
RM S
V
DC
I
F ( AV )
I
F S M
V
F
I
R
VA L UE
400
280
400
1 6 .0
300
1 .3 0
1 .0
500
50
175
3 .0
- 5 5 to + 1 5 0
UNITS
V
V
V
A
A
V
μ
A
ns
pF
O
t
rr
C
J
R
θJ
C
T
J
, T
S TG
C / W
O
C
NOTES:
1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 VDC.
2. Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=.5A, I
R
=1A, Irr=.25A.
3. Both Bonding and Chip structure are available.
December 27,2010-REV.00
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