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ED502S

产品描述5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小113KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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ED502S概述

5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA

ED502S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码TO-252
包装说明R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
应用SUPER FAST RECOVERY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流75 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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ED502S~ED506S
SUPERFAST RECOVERY RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Superfast recovery times-epitaxial construction.
• Low forward voltage, high current capability.
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228.
• Hermetically sealed.
• Low leakage.
• High surge capability.
• Plastic package has Underwriters Laboratories
Flammability Classification 94V-O utilizing
Flame Retardant Epoxy Molding Compound.
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
200 to 600 Volts
CURRENT
5.0 Amperes
MECHANICALDATA
• Case: Molded plastic, TO-252 / DPAK
• Terminals: Axial leads, solderable to MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: As marking
• Weight: 0.0104 ounces, 0.297 grams.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Resistive or inductive load, 60Hz.
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt a t T
A
= 7 5
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne - w a ve
s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 5 . 0 A D C
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt a t T
J
= 2 5
O
C
R a t e d D C B l o c k i ng Vo l t a g e T
J
= 1 2 5
O
C
M a x i m u m R e v e r s e R e c o v e r y Ti m e
Ty p i c a l J u n c t i o n c a p a c i t a n c e
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L
V
RRM
V
RMS
V
D C
I
F ( A V )
I
F S M
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
J A
T
J
, T
S T G
0 .9 5
ED502S
200
140
200
ED503S
300
210
300
5 .0
75
1 .2 5
1 .0
300
35
45
9 .0
-5 5 to +1 5 0
O
ED504S
400
280
400
ED506S
600
420
600
U N IT S
V
V
V
A
A
1 .7 0
V
µ
A
nS
pF
C / W
O
C
NOTES:
1. Thermal Resistance Junction to Ambient .
STAD-MAR.06.2009
PAGE . 1
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