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DI102S

产品描述Bridge 桥
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小102KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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DI102S概述

Bridge 桥

功能特点

产品名称:Bridge 桥


产品型号:DI102S


产品参数:


Peak Repetitive Reverse Voltage峰重复的反向电压:VRRM:200V


Max. Average Rectified Current最大平均整流电流:IO:1A


Max. Peak Forward Surge Current最大峰值正向冲击电流:IFSM:30A


Forward Voltage Drop正向电压降:VF@IF:1.1V@1A


Max. Reverse Current最大反向电流:IR@VR:5μA@200V



Package封装:SDIP



DI102S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码DIP
包装说明ROHS COMPLIANT, SURFACE MOUNT, PLASTIC, DIP-4
针数4
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性UL RECOGNIZED
最小击穿电压200 V
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JESD-30 代码R-PDSO-G4
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量4
相数1
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

DI102S文档预览

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DI100S~DI1010S
SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
VOLTAGE
50 to 1000 Volts
CURRENT
1.0 Amperes
Recongnized File #E111753
FEATURES
• Plastic material used carries Underwriters
Laboratory recognition 94V-O
• Surge overload rating-- 30 amperes peak
• Ideal for printed circuit board
• Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228
• Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives
406
10.3
• Low leakage
MECHANICAL DATA
• Case: Reliable low cost construction utilizing molded plastic technique
results in inexpensive product
• Terminals: Lead solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: Polarity symbols molded or marking on body
• Mounting Position: Any
• Weight: 0.0105 ounce, 0.3 gram
0.098(2.5)
0.086(2.2)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.Single phase, half wave, 60Hz, Resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a x i m u m R M S B r i d g e In p u t V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d C ur r e nt T
A
= 4 0
O
C
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne -
w a ve s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
I
2
t R a t i n g f o r f u s i n g ( t < 8 . 3 5 m s )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e D r o p p e r B r i d g e E l e m e nt
a t 1 .0 A
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt T
A
= 2 5
O
C
a t R a t e d D C B l o c k i ng Vo l t a g e T
A
= 1 2 5
O
C
Ty p i c a l J u n c t i o n c a p a c i t a n c e ( N o t e 1 )
Ty p i c a l t h e r m a l r e s i s t a n c e p e r l e g ( ( N o t e 2 )
S YM B O L
D I 1 0 0 S D I 1 0 1 S D I 1 0 2 S D I 1 0 4 S D I 1 0 6 S D I 1 0 8 S D I 1 0 1 0 S
U N I T S
V
RRM
V
RMS
V
D C
I
F ( A V )
I
F S M
I
2
t
V
F
I
R
C
J
R
θ
J A
R
θ
J L
T
J
,T
S T G
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1 .0
30
3 .7 3 5
1 .1
5 .0
500
25
40
15
-5 5 to +1 5 0
O
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
A
A
2
S
V
μ
A
pF
C / W
O
O p e r a t i n g J u n s t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
NOTES:
C
1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts
2. Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on P.C.B. with 0.5 X 0.5"(13 X 13mm) copper pads
REV.0.1-MAR.16.2010
PAGE . 1
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