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BZT52-B6V8

产品描述6.8 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小66KB,共4页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BZT52-B6V8概述

6.8 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

BZT52-B6V8规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PDSO-G2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.41 W
标称参考电压6.8 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差2.06%

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BZT52-B2V4 SERIES
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 to 75 Volts
POWER
410 mWatts
SOD-123
Unit: inch (mm)
FEATURES
• Planar Die construction
• 410mW Power Dissipation
• Zener Voltages from 2.4~75V
• Ideally Suited for Automated Assembly Processes
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
.028(0.7)
.019(0.5)
.154(3.90)
.141(3.60)
.110(2.8)
.098(2.5)
• Case: SOD-123, Molded Plastic
• Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
• Polarity: See Diagram Below
• Approx. Weight: 0.01 grams
• Mounting Position: Any
.008(.20)MAX
.005(.12)MAX
.016(.40)MIN
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Parameter
Maximum Power Dissipation (Notes A) at 25
O
C
Operating Junction and StorageTemperature Range
Symbol
Value
410
-55 to +150
Units
mW
O
P
D
T
J
NOTES:
A. Mounted on 5.0mm
2
(.013mm thick) land areas.
REV.0.2-OCT.1.2009
.053(1.35)
.037(0.95)
MECHANICAL DATA
.071(1.8)
.055(1.4)
C
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