PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。
详细参数
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Small Signal Mosfet 小信号MOSFET
小信号, 场效应晶体管
功能特点
产品名称：Small Signal Mosfet 小信号MOSFET
产品型号：BSS138
产品参数：
Channel通道：N
Configuration配置：Single
Drain-Source Voltage漏源极电压：VDSS：50V
Gate-Source Voltage栅源极电压最大值：VGSS：20V
Drain Current漏极电流：ID：0.3A
Static Drain-Source On-Resistance： Vgs=10V，Rdson (max.)：3Ω；Vgs=4.5V，Rdson (max.)：4Ω
Input Capacitance输入电容： Vds=25V，Ciss：50pF
Reverse Transfer Capacitance反向传输电容： Vds=25V，Crss：5pF
Gate Charge门电荷： Vgs=5.0 (10) V，Qg：1nC
Package封装：SOT-23
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | 强茂(PANJIT) |
| 包装说明 | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 其他特性 | ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 50 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 0.3 A |
| 最大漏源导通电阻 | 3 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss) | 5 pF |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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