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BD10200CT

产品描述肖特基二极管
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小41KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BD10200CT概述

肖特基二极管

功能特点

产品名称:肖特基二极管


产品型号:BD10200CT


参数:


重复反向电压峰值Vrrm:200V


最大平均整流电流Io:10A


最大前向浪涌电流I FSM:100A


正向压降VF:0.9V 当IF=5A时


最大反馈电流IR:50uA 当VR=200V


封装:TO-251AB/DPAK


BD10200CT规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码TO-251AB
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JEDEC-95代码TO-251AB
JESD-30 代码R-PSIP-T3
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

BD10200CT文档预览

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BD1040CT~BD10200CT
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
CURRENT
VOLTAGE
40 to 200 Volts
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• For through hole applications
• Low profile package
• Built-in strain relief
• Low power loss, High efficiency
• High surge capacity
• For use in low voltage high frequency inverters, free wheeling, and
polarity protection applications
.307(7.8)
.225(5.7)
.209(5.3)
.063(1.6)
.047(1.2)
.216(5.5)
.200(5.1)
.264(6.7)
.248(6.3)
.098(2.5)
.082(2.1)
.024(0.6)
.016(0.4)
10.0 Amperes
TO-251AB
Unit : inch (mm)
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
.283(7.2)
MECHANICALDATA
• Case: TO-251AB molded plastic
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: As marking
• Weight: 0.0104 ounces, 0.297 grams.
.09 .09
(2.3) (2.3)
.032(0.8)
.012(0.3)
.071(1.8)
.051(1.3)
.02(0.5)
MAXIMUM RATINGS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PA RA M E TE R
M a xi m um R e c ur r e nt P e a k R e ve r s e V o l t a g e
M a xi m um R M S V o l t a g e
M a xi m um D C B l o c k i ng V o l t a g e
M a xi m um A ve r a g e F o r w a r d ( S e e F i g ur e 1 )
P e a k F o r w a r d S ur g e C ur r e nt : 8 . 3 m s s i ng l e ha l f s i ne - w a ve
s up e r i m p o s e d o n r a t e d l o a d ( J E D E C m e t ho d )
M a xi m um F o r w a r d V o l t a g e a t 5 . 0 A p e r l e g
M a xi m um D C R e ve r s e C ur r e nt a t T
J
= 2 5
O
C
R a t e d D C B l o c k i ng Vo l t a g T
J
= 1 0 0
O
C
Ty p i c a l T h e r m a l R e s i s t a n c e
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e R a n g e
S YM B O L
V
RRM
V
RMS
V
D C
I
F ( A V )
I
F S M
V
F
I
R
R
θ
J C
T
J
, T
S T G
BD1040CT BD1045CT BD1050CT BD1060CT BD1080CT BD1090CT BD10100CT BD10150CT BD10200CT
U N IT S
V
V
V
A
A
40
28
40
45
31.5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
10
100
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
0 .7 0
0 .7 5
0 .0 5
20
3 .0
0 .8 0
0 .9 0
V
mA
O
C /
W
C
-5 5 to +1 5 0
-65 to +175
O
NOTES:
Both Bonding and Chip structure are available.
STAD-APR.30.2009
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