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BD380YS

产品描述肖特基二极管
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小103KB,共3页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BD380YS概述

肖特基二极管

功能特点

产品名称:肖特基二极管


产品型号:BD380YS


参数:


重复反向电压峰值Vrrm:80V


最大平均整流电流Io:3A


最大前向浪涌电流I FSM:75A


正向压降VF:0.8V 当IF=3A时


最大反馈电流IR:50uA 当VR=80V


封装:TO-252/DPAK


BD380YS规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-252
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
针数4
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.8 V
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流75 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压80 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

BD380YS文档预览

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BD340YS~BD3200YS
THROUGH HOLE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• For surface mounted applications
• Low profile package
• Built-in strain relief
• Low power loss, High efficiency
• High surge capacity
• For use in low voltage high frequency inverters, free wheeling, and
polarity protection applications
Lead free in comply with EU RoHS 2002/95/EC directives.
40 to 200 Volts
CURRENT
3.0 Ampere
MECHANICAL DATA
• Case: TO-252 molded plastic
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: As marking
• Weight: 0.0104 ounces, 0.297 grams.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load.
PA RA ME TE R
Maxi mum Recurrent P eak Reverse Voltage
Maxi mum RMS Voltage
Maxi mum D C B locki ng Voltage
Maxi mum A verage Forward C urrent ( S e e F i g u r e 1 )
P eak Forward S urge C urrent :8.3ms si ngle half si ne-wave
superi mposed on rated load(JE D E C method)
Maxi mum Forward Voltage at 3.0A ( Note 1)
Maxi mum D C Reverse C urrent T
J
=25
O
C
at Rated D C B locki ng Voltage T
J
=100
O
C
Typi cal Thermal Resi stance ( Note 2)
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e
R a ng e
S YMB OL
V
R R M
V
R M S
V
D C
I
F ( A V )
I
F S M
V
F
I
R
R
θ
JL
R
θ
JA
T
J
, T
S T G
B D 340YS
B D 345YS B D 350YS B D 360YS B D 380YS B D 390YS B D 3100YS B D 3150YS B D 3200YS
UNITS
V
V
V
A
A
40
28
40
45
3 1 .5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
3.0
75
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
0.70
0.74
0.05
20
20
75
0.80
0.90
V
mA
O
C/W
O
-55 to +150
-65 to +175
C
NOTES:
1. Pulse Test with PW =300µsec, 1% Duty Cycle.
2. Mounted on P.C. Board with 8.0mm
2
(.013mm thick) copper pad areas.
STAD-APR.28.2009
PAGE . 1
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