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BD360T

产品描述肖特基二极管
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小42KB,共2页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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BD360T概述

肖特基二极管

功能特点

产品名称:肖特基二极管


产品型号:BD360T


参数:


重复反向电压峰值Vrrm:60V


最大平均整流电流Io:3A


最大前向浪涌电流I FSM:75A


正向压降VF:0.74V 当IF=3A时


最大反馈电流IR:50uA 当VR=60V


封装:TO-251AB/DPAK


BD360T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码TO-251AB
包装说明R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-251AB
JESD-30 代码R-PSIP-T3
最大非重复峰值正向电流75 A
元件数量1
相数1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压60 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

BD360T文档预览

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BD340T~BD3200T
THROUGH HOLE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
VOLTAGE
FEATURES
• Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
• For surface mounted applications
• Low profile package
• Built-in strain relief
• Low power loss, High efficiency
• High surge capacity
• For use in low voltage high frequency inverters, free wheeling, and
polarity protection applications
.307(7.8)
.225(5.7)
.209(5.3)
.063(1.6)
.047(1.2)
.216(5.5)
.200(5.1)
.264(6.7)
.248(6.3)
.098(2.5)
.082(2.1)
.024(0.6)
.016(0.4)
40 to 200 Volts
CURRENT
3.0 Ampere
TO-251AB
Unit : inch (mm)
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
.283(7.2)
.071(1.8)
.051(1.3)
.032(0.8)
.012(0.3)
.09 .09
(2.3) (2.3)
MECHANICAL DATA
• Case: TO-251AB molded plastic
• Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,Method 2026
• Polarity: As marking
• Weight: 0.0104 ounces, 0.297 grams.
.02(0.5)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Resistive or inductive load.
PA RA ME TE R
Maxi mum Recurrent P eak Reverse Voltage
Maxi mum RMS Voltage
Maxi mum D C B locki ng Voltage
Maxi mum A verage Forward C urrent ( S e e F i g u r e 1 )
P eak Forward S urge C urrent :8.3ms si ngle half si ne-wave
superi mposed on rated load(JE D E C method)
Maxi mum Forward Voltage at 3.0A ( Note 1)
Maxi mum D C Reverse C urrent T
J
=25
O
C
at Rated D C B locki ng Voltage T
J
=100
O
C
Typi cal Thermal Resi stance ( Note 2)
O p e r a t i n g J u n c t i o n a n d S t o r a g e Te m p e r a t u r e
R a ng e
S YMB OL
V
R R M
V
R M S
V
D C
I
F ( A V )
I
F S M
V
F
I
R
R
θ
JL
R
θ
JA
T
J
, T
S T G
B D 340T
B D 345T
B D 350T
B D 360T
B D 380T
B D 390T
B D 3100T
B D 3150T
B D 3200T
UNITS
V
V
V
A
A
40
28
40
45
3 1 .5
45
50
35
50
60
42
60
80
56
80
3.0
75
90
63
90
100
70
100
150
105
150
200
140
200
0.70
0.74
0.05
20
20
75
0.80
0.90
V
mA
O
C/W
O
-55 to +150
-65 to +175
C
NOTES:
1. Pulse Test with PW =300µsec, 1% Duty Cycle.
2. Mounted on P.C. Board with 8.0mm
2
(.013mm thick) copper pad areas.
STAD-APR.28.2009
PAGE . 1
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